高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：
①SiO2+2C
Si +2CO↑、②Si+3HCl
HSiCl3+H2、③HSiCl3+H2Si+3X，反应①制得粗硅，通过反应②③进一步得到高纯硅；三氯硅烷(HSiCl3)的沸点是31.8℃。下列有关说法不正确的是
A. 反应③中X的化学式为HCl
B. 三氯硅烷由氢、硅、氯三种元素组成
C. 三氯硅烷中硅、氯元素的质量比为1∶3
D. 反应②③实现了硅元素的富集，将粗硅转化为高纯硅
单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。用化学方法可制得高纯度硅，其化学方程式为：①SiO2＋2C
Si＋2CO↑；②Si＋2Cl2
SiCl4；③SiCl4＋2H2
Si＋4HCl，其中反应①和③属于（ ）
A.化合反应 B.分解反应 C.置换反应 D.复分解反应
芯片是中美经贸摩擦的焦点之一。制造芯片的高纯硅可以用下述方法制取（反应条件略）：
下列有关说法错误的是
A.反应①、③均为置换反应 B.SiCl4 中 Si 的化合价为+4
C.Si 在化学变化中易得电子 D.硅原子的核电荷数为 14
硅晶体广泛应用于电子工业的各个领域，工业上常用焦炭在高温下还原二氧化硅固体初步制得，主要反应为SiO2+2C高温Si+2CO2↑。下列说法不正确的是（ ）
A. 该反应为置换反应
B. SiO2中硅元素的化合价为+4
C. 反应后固体质量减小
D. 地壳中硅元素含量小于铁元素
科学家提出：“硅是未来的石油”，制备粗硅的反应为：SiO2＋2C
Si＋nCO↑。下列说法正确的是（ ）
A.该化学方程式中n＝1
B.反应前后原子总数发生变化
C.硅是地壳中含量最高的元素
D.反应中SiO2和C的化学计量数之比为1:2
科学家提出“硅是未来的石油”。工业上制备粗硅的反应为SiO2＋2C
Si＋2CO↑。下列说法正确的是（ ）
A.硅是地壳中含量最高的元素 B.该反应前后，原子总数不变
C.硅元素的化合价在反应前后不变 D.生成CO的原因是O2不足
