A、B、C、D是常见不同主族的短周期元素，它们的原子序数逐渐增大，A元素原子最外层电子数是内层电子数的2倍；其中只有C是金属元素，且C元素原子最外层电子数是D元素原子最外层电子数的一半；B元素原子的最外层电子数比D元素原子最外层电子数少一个；E与D同主族，且E元素的非金属性比D强。
（1）写出A、B、E三种元素的元素符号：
A： B： E： 。
（2）如图所示：以C和A的单质为电极材料，两池内的电解质溶液均为D的最高价氧化物对应的水化物。a中A为 极，电池总反应的离子方程式为 ；b中A上的电极反应式为 ，一段时间后b中的pH（填“变大”、“变小”、或“不变”）.
（3）工业利用CO（g）+H2O（g）
H2（g）+CO2（g）
反应来制备合成氨的原料气，在1000℃下，用
高压水蒸气洗涤混合气体，再经过处理后即可直接作为合成氨的原料气。高温、高压处理的理由是 。
（4）汽车内燃机工作时产生的高温会引起N2和O2的反应N2（g）+O2（g） 2NO（g），这是导致汽车尾气中含有NO的原因之一，该反应在不同温度下的平衡常数K如下表：
|
温度 |
27℃ |
2000℃ |
|
K值 |
3.84×10-31 |
0.1 |
该反应为 反应（填“放热”、“吸热”）；T℃时，该反应化学平衡常数K=1，当c（N2）：c（O2）：c2（NO）=1：1：l，则可逆反应的反应速率（v）应满足的关系为 。
A．v（正）>v（逆） B．v（正）<v（逆）
C．v（正）=v（逆） D．无法确定
工业上用“三氯氢硅还原法”制备纯硅的工业流程如图：
（1）石英砂的主要成分是 （填化学式），在制备粗硅时焦炭的作用是 。
（2）制备三氯氢硅的反应：
Si（s）+3HCl（g）
SiHCl3（g）+H2（g） 
伴随的副反应为：
Si（s）+4HCl（g） SiCl4（g）+2H2（g） 
已知SiHCl3和SiCl4常温下均为液体，工业上分离SiHCl3和SiCl4的操作方法
为 ；
写出SiHCl3（g）和HCl反应生成SiCl4（g）和H2的热化学方程式 。
（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是 。
（4）实验室用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下图（热源及夹持装置略去）.已知SiHCl3能与H2O强烈反应，在空气中易自燃。
①装置B中的试剂是 （填名称），装置C中的烧瓶需要加热，其目的是 。
②实验中先让稀硫酸与锌粒反应一段时间后，再加热C、D装置的理由是 ，装置D中发生反应的化学方程式为 。
如下图，在25℃，101．3KPa下，将1omLO2全部压入左端盛有20mLNO的注射器中充分反应。以下对压入O2后左端注射器中的气体描述错误的是 （ ）
A．气体变为红棕色
B．气体体积仍为20mL
C．气体变为混合物
D．气体中氮原子与氧原子物质的量之比等于l：2
25℃时，在20mL0.1mol·L-1的氢氧化钠溶液中，逐滴加入0.2 mol·L-1 CH3COOH，溶液pH的变化曲线如图所示，有关粒子浓度关系的比较不正确的是 （ ）
A．B点：c（Na+）>c（CH3COO-）>c（OH-）>c（H+）
B．C点：c（CH3COO-）=c（Na+）>c（H+）=c（OH-）
C．D点时，c（CH3COO-）+c（CH3COOH）=2c（Na+）
D．对曲线上A、B间任何一点，溶液中都有：
c（Na+）>c（CH3COO-）>c（OH-）>c（H+）
下列说法正确的是 （ ）
A．H2S比H2O稳定
B．O2-半径比Na+的半径小
C．非金属元素形成的共价化合物中，原子的最外层电子数均达到2或8的稳定结构
D．目前使用的元素周期表中，最长的周期含有32种元素
用NA表示阿伏加德罗常数，下列说法正确的是 （ ）
A．0．2 mol过氧化氢完全分解转移的电子数目为0.4 NA
B．1mol羟基（－OH）所含的电子数为10 NA
C．30g甲醛和醋酸的混合物中含碳原子数目为NA
D．常温常压下，2．24L二氧化硫与氧气混合气体中所含氧原子数为0．2 NA
