Question

多晶硅生产工艺流程如下：

（1）粗硅粉碎的目的是      。分离SiHCl₃ (l)和SiCl₄(l)的方法为       。

（2）900℃以上， H₂与SiHCl₃发生如下反应：SiHCl₃ (g)+ H₂ (g)Si (s) + 3HCl (g)    ΔH ＞0，其平衡常数表达式为K =      。为提高还原时SiHCl₃的转化率，可采取的措施有      。

（3）该流程中可以循环使用的物质是       。

（4）SiCl₄与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl₃，其化学方程式为       。

Answer

（1）增大接触面积，加快反应速率，充分反应(2分)     蒸馏(2分)

（2）K=  (3分)     升高温度或增大氢气与 SiHC13 的物质的量之比或增大氢气浓度(2分)

（3）HCl、H2(2分)

（4）3SiCl4+Si+2H2=4SiHCl3(2分)

【解析】

试题分析： （1）粗硅粉碎长大了表面积，加快反应速率；SiHCl3和SiCl4均为液态而且互相溶解，根们沸点不同，用蒸馏法分离。

（2）Si为固态，表达式中无Si，使平衡向正反应方向移动，能提高还原时SiHCl3的转化率。

（3））HCl、H2在流程中分别作反应物和生成物，所以可循环使用。

（4）结合流程，对比SiHCl3和SiCl4，可得出反应物还有和H2和Cl2，然后写出化学方程式。

考点：本题考查化学反应速率、化学平衡移动、化学平衡常数、流程图的分析和化学方程式的书写。