Question

已知A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期，且元素原子序数依次增加，A焰色反应呈黄色；工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B，C是一种能被HF和NaOH溶液溶解的单质，D的电负性比磷大，第一电离能却比磷小，E单质是制备漂白液的原料，F能形成红色(或砖红色)和黑色的两种氧化物，G是一种主族金属。

（1）前四周期所有元素中，基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有     种。

（2）元素A、B、C分别与氟气化合形成物质X、Y、Z熔点见下表：

氟化物	X	Y	Z
熔点/K	1266	1534	183

解释表中氟化物熔点差异的原因：                                       。

（3）已知常温条件下，极性分子DOE₂是一种液态化合物，中心原子D的杂化方式是       。向盛有10mL水的锥形瓶中滴加少量的DOE₂溶液，生成两种有刺激性气味的气体。请书写此反应的化学方程式                             。

（4）G与氮原子可1：1化合，形成人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。G原子的价电子排布式为            。在该合成材料中，与同一个G原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体。在四种基本晶体类型中，此晶体属于         晶体。

（5）F晶体的堆积方式是          (填堆积名称)，其配位数为        。 向F的硫酸盐溶液中滴加氨水直至过量，写出此过程所涉及的两个离子方程式                                          根据价层电子对互斥理论，预测SO₄^2-的空间构型为                 。

Answer

（1）5(1分)

（2）NaF和MgF2为离子晶体，SiF4为分子晶体，(1分) MgF2的晶格能大于NaF(1分) （3）SP3(1分) SOCl2 + H2O = SO2↑+ 2HCl↑(2分)

（4）4s2p1(1分)，原子(1分)

（5）面心立方最密堆积(1分)， 12(1分)， Cu2+ + 2NH3·H2O = Cu(OH)2↓+ 2NH4+(2分)Cu(OH)2 + 4NH3·H2O = [Cu(NH3)4]2+ + 4H2O + 2OH-(或将NH3·H2O写成NH3)(2分)， 正四面体(1分)

【解析】

试题分析：A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期，且元素原子序数依次增加，A焰色反应呈黄色是Na；工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B，是Mg；C是一种能被HF和NaOH溶液溶解的单质，是Si；D的电负性比磷大，第一电离能却比磷小，是S；E单质是制备漂白液的原料，为Cl；F能形成红色(或砖红色)和黑色的两种氧化物，为Cu；G是一种主族金属。

（1）前四周期所有元素中，基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有1s1，2s22p2或2s22p4，3s23p3，3d64s2(注意根据洪特规则3d44s2是3d54s1)，共5种。

（2）元素Na、Mg、Si分别与氟气化合形成物质X(NaF)、Y(MgF2)、Z(SiF4)熔点NaF和MgF2为离子晶体，SiF4为分子晶体，MgF2的晶格能大于NaF。

（3）已知常温条件下，极性分子SOCl2是一种液态化合物，中心原子S有价层电子4对，杂化方式是SP3。向盛有10mL水的锥形瓶中滴加少量的SOCl2溶液，生成两种有刺激性气味的气体为水解，即SO2和HCl。

（4）G与氮原子可1：1化合，形成人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。物质分子式是GN，G为+3价，在Cu之后，故是G原子的价电子排布式为4s2p1。在该合成材料中，与同一个G原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体。在四种基本晶体类型中，此晶体属于原子晶体。

（5）Cu晶体的堆积方式是面心立方最密堆积，其配位数为12。 向CuSO4溶液中滴加氨水直至过量，Cu2+先生成Cu(OH)2沉淀，在溶解为[Cu(NH3)4]2+，根据价层电子对互斥理论，SO42-的价层电子为4对，空间构型为正四面体。

考点：物质结构与性质。