(14分)
Ⅰ.实验室常用以下几种方法制取氯气
(1)二氧化锰与浓盐酸反应制氯气,写出其反应的离子方程式_________________________。
(2)高锰酸钾与浓盐酸反应制氯气,写出其反应的化学方程式_________________________。
(3)氯酸钾与浓盐酸反应制氯气,该反应中氧化产物与还原产物的物质的量之比为___________。
Ⅱ.某研究性学习小组利用下列装置制备漂白粉,并进行漂白粉有效成分的质量分数测定。
(1)装置④中的x试剂为_________________________;
(2)装置③中发生反应的化学方程式为___________________________________,该反应是放热反应,反应温度较高时有副反应发生,改进该实验装置以减少副反应发生的方法是____________________________;
(3)测定漂白粉有效成分的质量分数:称取1.000 g漂白粉于锥形瓶中,加水溶解,调节溶液的pH,以淀粉为指示剂,用0.1000 mol·L-1 KI溶液进行滴定,溶液出现稳定浅蓝色时为滴定终点。反应原理为:
3ClO-+ I-= 3Cl-+ IO3- IO3-+ 5I-+ 3H2O = 6OH-+ 3I2
实验测得数据如下表所示。
滴定次数 | 1 | 2 | 3 |
KI溶液体积/mL | 19.98 | 20.02 | 20.00 |
该漂白粉中有效成分的质量分数为_______________;若滴定过程中未充分振荡溶液局部变浅蓝色时就停止滴定,则测定结果将_______________(填“偏高”、“偏低”或“无影响”) 。
(14分)X、Y、Z、W是四种常见的短周期主族元素,核电荷数依次增大。X有三种同位数,其中有两种常用于制造氢弹。Y、Z是同周期相邻元素,Y的最简单氢化物常用作致冷剂,Z的一种氢化物分子呈V型结构,其沸点远高于同族其它稳定的氢化物,Z的另一种氢化物M分子中两种元素的原子个数比为1︰1;W的最高正价与最低负价的代数和与Z原子的L层电子数相等。请回答下列问题:
(1)X在周期表中的位置_____________________;
(2)写出X、Y、W形成离子化合物的电子式_________,Y的最简单氢化物分子呈____________型;
(3)Y的最简单氢化物与最高价氧化物对应的水化物形成的盐R,R是一种常见的化肥和炸药,R可以促进水的电离,水溶液显_______性(填“酸”或“碱”),溶液中各种离子浓度的大小顺序是_________________;
(4)XYZ3溶液和XWZ4溶液均有强氧化性,写出
①铜与XYZ3浓溶液反应的离子方程式__________________________。
②XWZ4溶液与适量SO2反应的离子方程式______________________________。
(5)由Y、W两种元素组成的一种化合物Q分子中,每个原子最外层均达到8电子稳定结构,该物质在工业生产中被用于面粉的漂白和杀菌,写出Q与水初步反应的化学方程式:__________________。
在t℃时,AgBr在水中的沉淀溶解平衡曲线如图所示。又知t℃时AgCl的Ksp=4×10-10,下列说法不正确的是
A.图中a点对应的是AgBr的不饱和溶液
B.在t℃时, Ksp(AgBr) =4.9×10-13
C.在t℃时,AgCl(s)+Br-(aq)AgBr(s)+Cl-(aq)的平衡常数K≈816
D.在AgBr的饱和溶液中加入NaBr固体,可使溶液由b点到c点
下列说法不正确的是:
A.将pH均为a的氢氧化钠溶液和氨水分别加水稀释100倍,pH变为b和c,则a、b、c的大小关系是:a>c>b
B.常温下,浓度均为0.1mol/L①醋酸、②盐酸、③醋酸钠溶液,水电离程度的顺序为③>①>②
C.常温下,将相同体积的pH=3硫酸和pH=11一元碱BOH溶液混合,所得溶液可能为中性也可能为酸性
D.物质的浓度相同的①氯化铵溶液、②硫酸铵溶液、③碳酸氢铵溶液,pH的顺序为:③>①>②
根据下图所给信息,得出的结论正确的是
A.48g碳完全燃烧放出热量为1574 kJ/mol
B.2C(s)+O2(g) 2CO(g) △H=-221.0kJ/mol
C.2CO2(g) 2CO(g)+O2(g) △H=+283.0kJ/mol
D.C(s)+O2(g) CO2(s) △H=-393.5kJ/mol
下图是在航天用高压氢镍电池基础上发展起来的一种金属氢化物镍电池 (MH-Ni碱性电池)。下列有关说法不正确的是
A.放电时正极反应为:NiOOH+H2O+e-=Ni(OH)2+OH-
B.放电时负极反应为:MH+OH―-2e-=H2O+M+
C.充电时氢氧根离子移向阳极,要参与电极反应
D.充电时电池的正极连接直流电源的正极,得到电子发生还原反应