Question

(6分)现代科技的高度快速发展离不开C和Si元素。

（1）写出Si的基态原子核外电子排布式__________________。

（2）从电负性角度分析，C、Si、O元素的非金属活泼性由强至弱的顺序为______。

（3）SiC的晶体结构与晶体硅的相似，其中C原子的杂化方式为_____，微粒间存在的作用力是_______。

（4）C、Si为同一主族的元素，CO₂ 、SiO₂的化学式相似，但结构和性质有很大的不同。CO₂中C与O原子间形成σ键和π键，SiO₂中Si与O原子间不形成上述π键。从原子半径大小的角度分析，为何C、O原子间能形成上述π键，而Si、O原子间不能形成上述π键：_________________________

Answer

(6分)

（1）1s22s22p63s23p2 (1分) （2）O＞ C ＞Si(1分)

（3）sp3 (1分)、共价键(1分)

（4）Si、O 原子半径差距大，p能级上的电子云很难“肩并肩”重叠，所以，无法形成π键(2分)

【解析】

试题分析：（1）Si原子核外有14个电子，所以电子排布式为：1s22s22p63s23p2。

（2）元素的电负性越大，非金属性越强， C、Si、O元素电负性由大到小的顺序是：O＞ C ＞Si，所以非金属活泼性由强至弱的顺序为：O＞ C ＞Si。

（3）SiC晶体中，C原子与4个Si原子形成4个σ键，所以C原子的杂化方式为sp3；SiC的晶体结构与晶体硅的相似，属于原子晶体，原子晶体由原子组成，原子间的作用力是共价键。

（4）原子轨道以“肩并肩”方式相互重叠形成的共价键为π键，Si、O 原子半径差距大，p能级上的电子云很难“肩并肩”重叠，所以无法形成π键。

考点：本题考查电子排布式的书写、电负性的应用、晶体、π键的形成。