Question

选考[化学一选修3：物质结构与性质]砷化稼为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长，耗能少。己知砷化稼的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：

（1）下列说法正确的是____（填序号）。

A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同

B．第一电离能As>Ga

C．电负性As>Ga

D．原子半径As>Ga

（2）砷化镓可由(CH₃)₃Ga和AsH₃在700℃下反应制得，反应的方程式为_________________；

（3）AsH₃空间形状为_______；已知(CH₃)₃Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；

Ⅱ．金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。

（4）请解释金属铜能导电的原因___________，Cu²⁺的核外电子排布式为_________________

（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu(NH₃)₄]SO₄晶体，晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有___________和____________。

Answer

（1）BC；

（2）（CH3）3Ga+AsH3 GaAs+3CH4；

（3）三角锥型；sp2；

（4）铜为金属晶体，由铜离子与自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可以发生定向移动；1s22s22p63s23p63d9；

（5）离子键；配位键；

【解析】

试题分析：：（1）GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误；同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，则第一电离能：As＞Ga，故B正确；同周期元素从左到右电负性逐渐增大，则电负性：As＞Ga，故C正确；同周期自左而右原子半径减小，故原子半径As＜Ga，故D错误；

（2）反应为（CH3）3Ga和AsH3，生成为GaAs，根据原子守恒可知还应有和CH4，反应的化学方程式为（CH3）3Ga+AsH3 GaAs+3CH4，

（3）AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH3）3Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化；

（4）铜为金属晶体，由铜离子与自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可以发生定向移动，故可以导电，Cu2+的核外电子排布式为：1s22s22p63s23p63d9；

（5）[Cu（NH3）4]SO4晶体属于配合物，配离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键，）[Cu（NH3）4]SO4晶体属于配合物，氨气分子、硫酸根离子中存在普通共价键，四氨合铜络离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键。

考点：考查了化学键和晶体结构的相关知识。