下列离子方程式正确的是
A.金属钠与水反应:Na+ H2O=Na++ H2
B.氯化铵溶液显酸性的原因:NH4+ +H2O=NH3·H2O+H+
C.AICl3溶液中加入足量氨水:Al3++4NH3-H2O= AlO2-+4NH4+2H2O
D.氯化铁溶液中滴加少量的硫化氢溶液:2Fe3++H2S= 2Fe2++S+2H+
青蒿素是抗疟特效药属于萜类化合物,如图所示有机物也属于萜类化合物,该有机物的一氯取代物有(不含立体异构)
A.5种 B.6种
C.7种 D.8种
化学与人类社会的生产、生活有着密切联系。下列叙述中正确的是
A.铜制品既能发生吸氧腐蚀又能发生析氢腐蚀
B.铝制品由于表面有致密的氧化膜,可以稳定存在于空气中
C.苹果放在空气中久置变黄和漂白过纸张久置变黄原理相似
D.高纯度的SiO2对光有很好的折射和全反射作用,可以制成光电池将光能直接转化为电能
芳香酯I的合成路线如下:
巳知以下信息:
①A-I均为芳香族化合物,A的苯环上只有一个取代基,B能发生银镜反应,D的相对分
子质量比C大4,E的核磁共振氢谱有3组峰。
请回答下列问题:
(I)A→B的反应类型为 ,G所含官能团的名称为 。
(2)步骤E→F与F→G的顺序能否颠倒? (填“能”或“否”),理由: 。
(3)B与银氨溶液反应的化学方程式为 。
(4)I的结构简式为_________。
(5)符合下列要求的A的同分异构体有 种。
①遇氯化铁溶液显紫色 ②属于芳香族化合物
(6)根据已有知识并结合相关信息,写出以CH3CH2OH为原料制备CH3CH2CH2CH2OH的合成路线流程图(无机试剂任用)。合成路线流程图示例如下:
E、G、M、Q、T是五种原子序数依次增大的前四周期元素。E、G、M是位于p区的同一周期的元素,M的价层电子排布为ns2np2n,E与M原子核外的未成对电子数相等;QM2与GM2-具有相等的价电子总数;T为过渡元素,其原子核外没有未成对电子。请回答下列问题:
(1)T元素原子的价电子排布式是__________。
(2)E、G、M三种元素的第一电离能由大到小的顺序为__ (用元素符号表示),其原因为________。
(3)E、G、M的最简单氢化物中,键角由大到小的顺序为 (用分子式表示),其中G的最简单氢化物的分子立体构型名称为_____ ___,M的最简单氢化物的分子中中心原子的杂化类型为 。M和Q的最简单氢化物的沸点大小顺序为__________(写化学式)。
(4)EM、GM+、G2互为等电子体,EM的结构式为(若有配位键,请用“→”表示)。E、M电负性相差1.0,由此可以判断EM应该为极性较强的分子,但实际上EM分子的极性极弱,请解释其原因: 。
(5) TQ在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方TQ晶体结构如图所示,该晶体的密度为pg·cm-3。如果TQ的摩尔质量为Mg.mol-1,阿伏加德罗常数为NA mol-1,则a、b之间的距离为_______cm。
硅是带来人类文明的重要元素之一,从传统材料到信息材料的发展过程中创造了许多奇迹。
(l)新型陶瓷Si3N4的熔点高、硬度大、化学性质稳定。工业上可以采用化学气相沉积法,在H2的保护下,使SiCI4与N2反应生成Si3N4沉积在石墨表面,写出该反应的化学方程式_ ___。
(2)已知硅的熔点是1420℃,高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀氮化硅。一种用工业硅(含少量钾、钠、铁、铜的氧化物)合成氮化硅的主要工艺流程如下:
①净化N2和H2时,铜屑的作用是 ;硅胶的作用是__________。
②在氮化炉中3Si(s) +2N2(g) =Si3N4(S) △H= -727.5kJ.mol-l,开始时为什么要严格控制氮气的流速以控制温度? ;体系中要通人适量的氢气是为了__________。
③X可能是 (选填“盐酸”、“硝酸”、“硫酸”或“氢氟酸”)。
(3)工业上可以通过如下图所示的流程制取纯硅:
①整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCl3遇水能发生剧烈反应,写出该反应的化学方程式 。
②假设每一轮次制备1mol纯硅,且生产过程中硅元素没有损失,反应I中HCI的利用率为90%,反应II中H2的利用率为93.75%。则在第二轮次的生产中,补充投入HC1和H2的物质的量之比是 。