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X、Y、Z、E、T均为短周期元素,在周期表中的相对位置如图1。X是短周期中原子半...

XYZET均为短周期元素,在周期表中的相对位置如图1X是短周期中原子半径最大的元素; XY在同一周期,Y是常见的半导体材料; E的最高价氧化物对应水化物有强脱水性。

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根据判断出的元素回答问题:

1T在元素周期表中的位置                        

2这几种元素的氢化物中,水溶液酸性最强的是                      (填化学式)YZ2 的熔点       EZ2 的熔点(填高于或低于)

3E2T2 的电子式                              

4工业上制备单质X的化学反应方程式                       

5已知1mol晶体Y足量Z2中燃烧,恢复至室温,放出989.2 kJ 热量,写出该反应的热化学方程式:               

6溶液可能含有以下阳离子(忽略由水电离产生的H、OH):H、NH4、K、Mg2、Al3,现取100mL该溶液逐滴滴加NaOH溶液,测得沉淀的物质的量与NaOH溶液的体积关系如上图2所示。

实验中,NaOH溶液滴至b~c段过程中发生的离子反应方程式为                            ;NaOH溶液的浓度为      mol·L-1 (用字母c、d表示);

原溶液中含有的Mg2、Al3、H,其物质的量之比n(Mg2):n(Al3):n(H)为         

 

(1)第三周期第ⅦA族;(2)HCl;高于;(3);(4)2NaCl2Na+Cl2↑; (5)Si(s)+O2(g)═SiO2(s) ΔH=-989.2 kJ·mol―1(6)①NH4+ + OH-= NH3·H2O;10/(d-c) mol·L-1 ;② 1:1:1 . 【解析】 试题分析:X、Y、Z、E、T均为短周期元素,在周期表中的相对位置如图,结合图分析,X是短周期中原子半径最大的元素,X是Na元素;X、Y在同一周期,Y是常见的半导体材料,Y是Si元素;E的最高价氧化物对应水化物有强脱水性,E是S元素;Z是O元素,T是Cl元素。(1) Cl在元素周期表中的位置是第三周期第ⅦA族,答案为:第三周期第ⅦA族;(2) 这几种元素的氢化物中,水溶液酸性最强的是HCl,SiO2属于原子晶体,SO2属于分子晶体,熔点SiO2> SO2,答案为:HCl;高于;(3)S2Cl2 的电子式为:,答案为:;(4)工业上制备单质Na是电解熔融NaCl,化学方程式为:2NaCl2Na+Cl2↑,答案为:2NaCl2Na+Cl2↑;(5)1mol晶体Si在足量O2中燃烧,恢复至室温放出热量989.2kJ/mol,热化学方程式为:Si(s)+O2(g)═SiO2(s) ΔH=-989.2kJ/mol,答案为:Si(s)+O2(g)═SiO2(s) ΔH=-989.2 kJ·mol―1;(6) 某溶液中可能含有以下阳离子(忽略由水电离产生的H+、OH-):H+、NH4+、K+、Mg2+、Al3+,现取100mL该溶液逐滴滴加NaOH溶液,测得沉淀的物质的量与NaOH溶液的体积关系如上图2所示。0~a发生的反应为:H++OH-=H2O,a~b生成沉淀,c~d沉淀溶解,但没有溶解完,a~b生成沉淀的离子方程式为:Mg2++2OH-=Mg(OH)2↓、Al3++3OH-=Al(OH)3↓, c~d的离子方程式为Al(OH)3+ OH-=AlO2-+2H2O, b~c段是铵根离子和氢氧根反应,反应的离子方程式为: NH4+ + OH-= NH3·H2O,根据图上c~d可以看出,溶解0.01mol氢氧化铝沉淀,消耗氢氧化钠的体积为10mL,所以,n(OH-)=n(Al(OH)3)=0.01mol,c(OH-)=0.01mol/0.01L=1mol/L,用c、d表示为:0.01mol/(d-c)×10­-3L=10/(d-c) mol·L-1,答案为:NH4+ + OH-= NH3·H2O;10/(d-c) mol·L-1 ;②图上可以看出,氢离子消耗氢氧化钠的体积为10mL,氢氧化铝消耗氢氧化钠的体积为10mL,铝离子和镁离子一共消耗氢氧化钠50mL,即镁离子消耗氢氧化钠20mL,n(Mg2+):n(Al3+):n(H+)为1:1:1,答案为:1:1:1. 考点:考查元素周期表推断、常见离子与氢氧根反应的图像  
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