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有关下列实验各装置图的叙述,不正确的是( ) A. 装置①可用于吸收实验中多余的...

有关下列实验各装置图的叙述,不正确的是( )

A. 装置可用于吸收实验中多余的Cl2

B. 装置可用于收集H2NH3Cl2HClNO2

C. 装置X为苯,可用于吸收氨气或氯化氢

D. 装置中可用于收集氨气,并吸收多余的氨气

 

AC 【解析】试题分析:A.导管在液面下,可发生倒吸; B.a进气可收集密度比空气密度大的气体,b进入可收集密度比空气密度小的气体; C.X为苯,密度比水的小,则X在上层,不能隔绝气体和水; D.碱石灰可干燥氨气,氨气的密度比空气密度小,易溶于水. 【解析】 A.导管在液面下,可发生倒吸,则图中装置可收集尾气,但易发生倒吸,故A错误; B.a进气可收集密度比空气密度大的气体,b进入可收集密度比空气密度小的气体,则装置②可用于收集H2、NH3、Cl2、HCl、NO2等,故B正确; C.X为苯,密度比水的小,则X在上层,不能隔绝气体和水,X应为四氯化碳,故C错误; D.碱石灰可干燥氨气,氨气的密度比空气密度小,易溶于水,则图④中可用于收集氨气,并吸收多余的氨气,故D正确; 故选AC.  
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考点分析:
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第四周期中的18种元素具有重要的用途,在现代工业中备受青睐.

1)铬是一种硬而脆,抗腐蚀性强的金属,常用于电镀和制造特种钢.基态Cr原子中,电子占据最高能层的符号为     ,该能层上具有的原子轨道数为     ,电子数为    

2)第四周期元素的第一电离能随原子序数的增大,总趋势是逐渐增大的,30Zn31Ga的第一电离能是否符合这一规律?     (填),原因是     (如果前一问填,此问可以不答).

3)镓与第VA族元素可形成多种新型人工半导体材料,砷化镓(GaAs)就是其中一种,其晶体结构如图1所示(白色球代表As原子).在GaAs晶体中,每个Ga原子与     As原子相连,与同一个Ga原子相连的As原子构成的空间构型为    

4)与As同主族的短周期元素是NPAsH3中心原子杂化的类型     ,一定压强下将AsH3NH3PH3的混合气体降温是首先液化的是    

5)铁的多种化合物均为磁性材料,氮化铁是其中一种,某氮化铁的晶胞结构如图2所示,则氮化铁的化学式为     ;设晶胞边长为acm,阿伏加德罗常数为NA,该晶体的密度为    gcm3(用含aNA的式子表示)

 

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现有六种元素,其中B、C、D、E为短周期主族元素,F、G为第四周期元素,它们的原子序数依次增大.请根据下列相关信息,回答问题

B元素原子的核外p电子数比s电子数少1

C原子的第一至第四电离能分别是:

I1=738kJ/mol  I2=1451kJ/mol  I3=7733kJ/mol  I4=10540kJ/mol

D原子核外所有p轨道全满或半满

E元素的主族序数与周期数的差为4

F 是前四周期原子电子轨道表示式中单电子数最多的元素

G在周期表的第十一列

(1)B基态原子中能量最高的电子,其电子云在空间有      个方向,原子轨道呈      形.

(2)C和与其左右相邻元素原子的第一电离能由大到小的顺序是     

(3)①DE3中心原子的杂化方式为      杂化,该分子中的键角比离子DE4+中的键角小的原因是     

②将E的单质通入到黄血盐{K4[Fe(CN)6]}溶液中,可得到赤血盐{K3[Fe(CN)6]}.该反应的离子方程式为     

③已知含E的一种化合物与过氧化氢发生如下反应(已配平):H2O2+      +HE (请写出横线上物质的结构式)

(4)F位于      区,价电子排布式为     

(5)G单质晶体中原子的堆积方式为面心立方最密堆积(如图),则晶胞中每个原子的配位数为      .假设晶胞边长为a,原子半径为r,列式表示该晶胞的空间利用率为    

 

 

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有A、B、C、D四种元素,其中A元素和B元素的原子都有1个未成对电子,A+比B少一个电子层,B原子得一个电子填入3p轨道后,3p轨道已充满;C原子的p轨道中有3个未成对电子,其气态氢化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氢化物中最大;D的最高化合价和最低化合价的代数和为4,其最高价氧化物中含D的质量分数为 40%,且其核内质子数等于中子数.R是由A、D两元素形成的离子化合物,其中A+与D2﹣离子数之比为2:1.请回答下列问题:

(1)A元素形成的晶体属于A2密堆积型式,则其晶体内晶胞类型应属于      (填写“六方”、“面心立方”或“体心立方”).

(2)B的价电子排布图为      ,在CB3分子中C元素原子的原子轨道发生的是      杂化.

(3)C的氢化物的空间构型为     

(4)B元素的电负性      D元素的电负性(填“>”、“<”或“=”);用一个化学方程式说明B、D两元素形成的单质的氧化性强弱:     

(5)如图所示是R形成的晶体的晶胞,设晶胞的棱长为 a cm.试计算R晶体的密度为 g/cm3 .(阿伏加德罗常数用 NA表示)

 

 

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ABCD是周期表中前10号元素,它们的原子半径依次减小.D能分别与ABC、形成10电子总数相等的多原子分子MNW,且在MNW分子中,ABC原子都采取sp3杂化.

①ABC的第一电离能由小到大的顺序为     (用元素符号表示).A22C22+互为等电子体,C22+的电子式    

②N的沸点比其同族相邻氢化物沸点高的主要原因是     W分子的空间构型的名称是    

2EFG三元素的原子序数依次增大,它们原子的最外层电子排布均为4s1

①F元素基态原子电子排布式为    

②E元素单质的晶体堆积模型为     (填字母)

G的硫酸盐溶液中通入过量N气体,可生成[GN4]2+不考虑空间构型,[GN4]2+的结构可用示意图表示为     (用元素符号表示).

 

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BF3与一定量的水形成(H2O)2•BF3晶体Q,Q在一定条件下可转化为R:

反应过程中新形成的化学键中无(  )

A.离子键        B.配位键        C.非极性共价键       D.氢键

 

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