为确定某溶液的离子组成，进行如下实验：
①取少量溶液滴加Ba（NO3）2溶液，产生白色沉淀
②然后继续加入稀盐酸至溶液呈酸性，产生无刺激性气味且能使澄清石灰水变浑浊的无色气体；白色沉淀部分溶解
③取上层清液继续滴加Ba（NO3）2溶液至无沉淀时，再滴加AgNO3溶液，产生白色沉淀．
根据实验，以下推测不正确的是（ ）
A．一定有SO42﹣
B．一定有CO32﹣
C．不能确定Cl﹣是否存在
D．不能确定SO42﹣是否存在
下列说法中正确的是（ ）
A. 不能发生丁达尔效应的分散系有氯化钠溶液、水等
B. 在1 L 2 mol•L﹣1Fe（OH）3胶体中，含有的Fe（OH）3胶体粒子数为2NA
C. 在Fe（OH）3胶体中滴入少量稀硫酸将有沉淀产生
D. 淀粉胶体中含有少量的NaCl，可用适量AgNO3溶液除去
有关下列实验各装置图的叙述，不正确的是（ ）
A. 装置①可用于吸收实验中多余的Cl2
B. 装置②可用于收集H2、NH3、Cl2、HCl、NO2等
C. 装置③中X为苯，可用于吸收氨气或氯化氢
D. 装置④中可用于收集氨气，并吸收多余的氨气
第四周期中的18种元素具有重要的用途，在现代工业中备受青睐．
（1）铬是一种硬而脆，抗腐蚀性强的金属，常用于电镀和制造特种钢．基态Cr原子中，电子占据最高能层的符号为 ，该能层上具有的原子轨道数为 ，电子数为 ．
（2）第四周期元素的第一电离能随原子序数的增大，总趋势是逐渐增大的，30Zn与31Ga的第一电离能是否符合这一规律？ （填“是”或“否”），原因是 （如果前一问填“是”，此问可以不答）．
（3）镓与第VA族元素可形成多种新型人工半导体材料，砷化镓（GaAs）就是其中一种，其晶体结构如图1所示（白色球代表As原子）．在GaAs晶体中，每个Ga原子与 个As原子相连，与同一个Ga原子相连的As原子构成的空间构型为 ．
（4）与As同主族的短周期元素是N、P．AsH3中心原子杂化的类型 ，一定压强下将AsH3和NH3、PH3的混合气体降温是首先液化的是
（5）铁的多种化合物均为磁性材料，氮化铁是其中一种，某氮化铁的晶胞结构如图2所示，则氮化铁的化学式为 ；设晶胞边长为acm，阿伏加德罗常数为NA，该晶体的密度为 g．cm﹣3（用含a和NA的式子表示）
现有六种元素，其中B、C、D、E为短周期主族元素，F、G为第四周期元素，它们的原子序数依次增大．请根据下列相关信息，回答问题
B元素原子的核外p电子数比s电子数少1
C原子的第一至第四电离能分别是：
I1=738kJ/mol I2=1451kJ/mol I3=7733kJ/mol I4=10540kJ/mol
D原子核外所有p轨道全满或半满
E元素的主族序数与周期数的差为4
F 是前四周期原子电子轨道表示式中单电子数最多的元素
G在周期表的第十一列
（1）B基态原子中能量最高的电子，其电子云在空间有 个方向，原子轨道呈 形．
（2）C和与其左右相邻元素原子的第一电离能由大到小的顺序是 ．
（3）①DE3中心原子的杂化方式为 杂化，该分子中的键角比离子DE4+中的键角小的原因是
②将E的单质通入到黄血盐{K4[Fe（CN）6]}溶液中，可得到赤血盐{K3[Fe（CN）6]}．该反应的离子方程式为
③已知含E的一种化合物与过氧化氢发生如下反应（已配平）：H2O2+
→ +HE （请写出横线上物质的结构式）
（4）F位于 区，价电子排布式为 ．
（5）G单质晶体中原子的堆积方式为面心立方最密堆积（如图），则晶胞中每个原子的配位数为 ．假设晶胞边长为a，原子半径为r，列式表示该晶胞的空间利用率为 ．
有A、B、C、D四种元素，其中A元素和B元素的原子都有1个未成对电子，A+比B﹣少一个电子层，B原子得一个电子填入3p轨道后，3p轨道已充满；C原子的p轨道中有3个未成对电子，其气态氢化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氢化物中最大；D的最高化合价和最低化合价的代数和为4，其最高价氧化物中含D的质量分数为 40%，且其核内质子数等于中子数．R是由A、D两元素形成的离子化合物，其中A+与D2﹣离子数之比为2：1．请回答下列问题：
（1）A元素形成的晶体属于A2密堆积型式，则其晶体内晶胞类型应属于 （填写“六方”、“面心立方”或“体心立方”）．
（2）B﹣的价电子排布图为 ，在CB3分子中C元素原子的原子轨道发生的是 杂化．
（3）C的氢化物的空间构型为
（4）B元素的电负性 D元素的电负性（填“＞”、“＜”或“=”）；用一个化学方程式说明B、D两元素形成的单质的氧化性强弱： ．
（5）如图所示是R形成的晶体的晶胞，设晶胞的棱长为 a cm．试计算R晶体的密度为 
g/cm3 ．（阿伏加德罗常数用 NA表示）
