欲除去下列物质中的杂质(括号内为杂质)所用试剂和操作方法都正确的（ ）
①Cl2(HCl)：饱和食盐水、过滤
②CO2(SO2)：饱和Na2CO3溶液、洗气
③铁粉(铝粉)：NaOH溶液、过滤
④MnO2(KCl)：水、溶解后过滤
⑤碳粉(碘单质)：CCl4、分液
⑥C2H5OH(H2O)：加新制CaO后蒸馏
A.①②③ B.③④⑥ C.②④⑤ D.①④⑤
下列食品添加剂中，其使用目的与反应速率有关的是( )
A.抗氧化剂 B.调味剂
C.着色剂 D.增稠剂
元素的第一电离能：Al_________Si（填“>”或 “<”）
一项科学研究成果表明，铜锰氧化物(CuMn2O4)能在常温下催化氧化空气中的一氧化碳和甲醛(HCHO)。
(1)向一定物质的量浓度的Cu(NO3)2和Mn(NO3)2溶液中加入Na2CO3溶液，所得沉淀经高温灼烧，可制得CuMn2O4。
①Mn2＋基态的电子排布式可表示为____________________________。
②NO3-的空间构型是_______________________(用文字描述)。
(2)在铜锰氧化物的催化下，CO被氧化为CO2，HCHO被氧化为CO2和H2O。
①根据等电子体原理，CO分子的结构式为___________________。
②H2O 分子中O原子轨道的杂化类型为___________________。
③1 mol CO2 中含有的σ键数目为___________________。
砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________________，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是__________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGag·mol-1和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGapm和rAspm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。
图中NaCl晶体结构向三维空间延伸得到完美晶体。最近的Na+与Cl-核间距离为a×10-8cm，求晶体密度？_____________
