镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓...

镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓等都是常用的半导体材料，应用于航空航天测控、光纤通讯等领域。回答下列问题：

(1)硒常用作光敏材料，基态硒原子的核外电子排布式为[Ar]_______；与硒同周期的p区元素中第一电离能大于硒的元素有_____种；SeO3的空间构型是_______。

(2)根据元素周期律，原子半径Ga ___As，第一电离能Ga _____As。(填“大于”或“小于”)

(3)水晶的主要成分是二氧化硅，在水晶中硅原子的配位数是______，硅与氢结合能形成一系列的二元化合物SiH4、Si2H6等，与氯、溴结合能形成SiCl4 、SiBr4,上述四种物质的沸点由高到低的顺序为__________，丁硅烯(Si4H8)中σ键与π键个数之比为___。

(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因___。

(5)GaN晶体结构如图所示。已知六棱柱底边边长为a cm，阿伏加德罗常数的值为NA。

①晶体中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____。

②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图所示。若该平行六面体的体积为cm3，GaN晶体的密度为____g/cm3(用a、NA表示)。

3 平面三角形 > < 4 11:1 结构相似的前提下，原子晶体的熔沸点与成键原子的半径呈反比，原子半径大小为N

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考点分析：

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某小组设计实验探究NaClO溶液与KI溶液的反应,实验记录如表所示：

[资料]碘元素形成化合物时主要以I-和IO3-的形式存在。酸性条件下IO3-不能氧化Cl- ，可以氧化I-。ClO-在pH<4并加热的条件下极不稳定。

(1)0.5 mol·L-1 NaClO溶液的pH=11，用离子方程式表示其原因：_____________________。

(2)实验I中溶液变为浅黄色时发生反应的离子方程式是__________________________。

(3)对比实验I和II ，探究实验II反应后“溶液不变蓝”的原因。

①提出假设a：I2在碱性溶液中不能存在。

设计实验Ⅲ证实了假设a成立。实验Ⅲ的操作及现象是_____________________。

②进一步提出假设b：NaClO可将I2氧化为IO3-。进行实验IV证实了假设b成立，装置如图所示，其中甲溶液是____，实验现象是______。

(4)验证实验II所得溶液中存在IO3-：取适量实验II所得溶液，滴加稀硫酸至过量，整个过程均未出现蓝色，一段时间后产生黄绿色有刺激性气味的气体，测得溶液的pH=2。再加入KI溶液，溶液变蓝，说明实验II所得溶液中存在IO3-。

①产生的黄绿色气体是___________(填化学式)。

②有同学认为此实验不能说明实验II所得溶液中存在IO3-理由是_________。欲证明实验II所得溶液中存在IO3-，改进的实验方案是__________。

③实验II中反应的离子方程式是__________。

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碘化锂（）在能源、医药等领域有重要应用，某兴趣小组制备和，流程如下：

已知：在75~80℃转变成，80~120℃转变成，300℃以上转变成无水。

b.易溶于水，溶解度随温度升高而增大。

c.在空气中受热易被氧化。

请回答：

(1)步骤II，调，为避免引入新的杂质，适宜加入的试剂为________。

(2)步骤III，包括蒸发浓缩、冷却结晶、过滤、洗涤、干燥等多步操作。

下列说法正确的是________。

A.为得到较大的晶体颗粒，宜用冰水浴快速冷却结晶

B.为加快过滤速度，得到较干燥的晶体，可进行抽滤

C.宜用热水洗涤

D.可在80℃鼓风干燥

(3)步骤IV，脱水方案为：将所得置入坩埚中，300℃加热，得样品。用沉淀滴定法分别测定所得、样品纯度，测定过程如下：称取一定量样品，溶解，定容于容量瓶，将容量瓶中的溶液倒入烧杯，用移液管定量移取烧杯中的溶液加入锥形瓶，调，用滴定管中的标准溶液滴定至终点，根据消耗的标准溶液体积计算，得、的纯度分别为99.96%，95.38%。纯度偏低。