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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。...

砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:

1)写出基态As原子的核外电子排布式__

2)根据元素周期律,原子半径Ga__As,第一电离能Ga__As。(填大于小于)。

 

[Ar]3d104s24p3 大于 小于 【解析】 (1)As为33号元素,处于第四周期第ⅤA族,K、L、M、N四个电子层分别排布2、8、18、5个电子,据此分析基态原子的核外电子排布式; (2)同周期元素从左至右原子半径逐渐减小;同周期从左到右第一电离能逐渐增大,同主族从上到下第一电离能逐渐减小,但第一电离能的变化趋势中有曲折。 (1)As是33号元素,基态As原子的核外电子排布式1s22s22p63s23p63d104s24p3。 (2)31号Ga和33号As都是第4周期的主族元素,同一周期元素原子半径从左到右逐渐减小,原子半径Ga大于As;同一周期元素的第一电离能呈逐渐增大的趋势,更有As的4p轨道是半充满状态,所以第一电离能Ga小于As。
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氯原子核外电子能量最高的电子亚层是________HCNONa的原子半径从小到大的顺序为______________________________

 

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Co基态原子核外电子排布式为__。元素MnO中,第一电离能较大的是__,基态原子核外未成对电子数较多的是__

 

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比较离子半径:F- _______________ O2-(大于”“等于小于”)

 

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Fe成为阳离子时首先失去 _______ 轨道电子,Sm的价层电子排布式为Sm3+价层电子排布式为 _______

 

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下列状态的镁中,电离最外层一个电子所需能量最大的是 ____________ (填标号)

A.[Ne] B.[Ne] C.[Ne] D.[Ne]

 

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