某物质的晶体内部一个截面上原子的排布情况如图所示,则该晶体的化学式可表示为( )
A.A2B B.AB C.AB2 D.A3B
下列说法正确的是（ ）
A.熔点：锂＜钠＜钾＜铷＜铯
B.由于HCl的分子间作用力比HI的强，故HC1比HI稳定
C.等质量的金刚石和石墨晶体所含碳碳键的数目相等
D.已知离子晶体AB的晶胞如图所示，则每个A+周围距离最近且等距的B-有8个
根据下列叙述，推测可能属于金属晶体的是（ ）
A.由分子间作用力结合而成，熔点很低
B.固体或熔融状态下易导电，熔点在1000℃左右
C.由共价键结合成空间网状结构，熔点很高
D.固体不导电，熔融状态下亦不导电，但溶于水后能导电
下列物质属于非晶体的是（ ）。
①松香；②冰；③石英；④沥青；⑤铜；⑥纯碱
A.①②③④⑤⑥ B.①④ C.①③ D.⑤⑥
有机物M是有机合成的重要中间体，制备M的一种合成路线如下(部分反应条件和试剂略去)：
已知：①A的密度是相同条件下H2密度的38倍；其分子的核磁共振氢谱中有3组峰；
②
(-NH2容易被氧化)；
③
R-CH2COOH
请回答下列问题：
(1)B的化学名称为______。A中官能团的电子式为______。
(2)C
D的反应类型是______，I的结构简式为______。
(3)FG的化学方程式为______。
(4)M不可能发生的反应为______(填选项字母)。
a.加成反应 b.氧化反应 c.取代反应 d.消去反应
(5)请写出任意两种满足下列条件的E的同分异构体有______。
①能与FeCl3溶液发生显色反应 ②能与NaHCO3反应 ③含有-NH2
(6)参照上述合成路线，以
为原料(无机试剂任选)，设计制备
的合成路线：______。
镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓等都是常用的半导体材料，应用于航空航天测控、光纤通讯等领域。回答下列问题：
(1)硒常用作光敏材料，基态硒原子的核外电子排布式为[Ar]_______；与硒同周期的p区元素中第一电离能大于硒的元素有_____种；SeO3的空间构型是_______。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga ___As，第一电离能Ga _____As。(填“大于”或“小于”)
(3)水晶的主要成分是二氧化硅，在水晶中硅原子的配位数是______，硅与氢结合能形成一系列的二元化合物SiH4、Si2H6等，与氯、溴结合能形成SiCl4 、SiBr4,上述四种物质的沸点由高到低的顺序为__________，丁硅烯(Si4H8)中σ键与π键个数之比为___。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因___。
(5)GaN晶体结构如图所示。已知六棱柱底边边长为a cm，阿伏加德罗常数的值为NA。
①晶体中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____。
②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图所示。若该平行六面体的体积为
cm3，GaN晶体的密度为____g/cm3(用a、NA表示)。
