可逆反应3A(g)+ B(g)
2C(g)+2D (g)在不同条件下的反应速率如下，其中反应速率最快的是（ ）
A. v（A）=0.6mol/（L•s） B. v（B）=0.3mol/（L•s）
C. v（C）=0.5mol/（L•s） D. v（D）=0.2mol/（L•s）
两种微粒含有相同的质子数和电子数，这两种微粒的关系可能是：（1）同一元素的不同原子，（2）不同元素的原子，（3）两种不同的分子，（4）一种原子和一种分子，（5）一种原子和一种离子，（6）一种分子和一种离子，（7）两种不同的阳离子，（8）两种不同的阴离子，(9)一种阴离子和一种阳离子，其中正确的是
A.(1)（3）（4）（7）（8） B.（1）（2）（5）(7)(9)
C.（1）（2）（5）（7）(9) D.（1）（2）（3）（4）（5）
用化学用语表示 NH3+ HCl
NH4Cl中的相关微粒，其中正确的是（ ）
A. 中子数为8的氮原子：
B. HCl 的电子式： 
C. NH3的结构式：
D. Cl−的结构示意图：
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式___________。
(2)AsCl3分子的立体构型为_________，其中As的杂化轨道类型为________。
(3)GaF3的熔点高于1000℃，GaCl2的熔点为77.9℃，其原因是______________。
(4)GaAs的熔点为1238℃，密度为ρ g/cm3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为______________，Ga与As以______________键结合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g/mol和MAs g/mol，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为______________。
锗(Ge)是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题：
(1)Ge与C是同族元素，C原子之间可以形成双键、叁键，但Ge原子之间难以形成双键或叁键。从原子结构、熔点/℃角度分析，原因是______________。
(2)比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因____________。
| GeCl4 | GeBr4 | Gel4 |
熔点/℃ | -49.5 | 26 | 146 |
沸点/℃ | 83.1 | 186 | 约400 |
(3)光催化还原CO2制备CH4反应中，带状纳米Zn2GeO4是该反应的良好催化剂。Zn、Ge、O电负性由大至小的顺序是______________。
(4)Ge单晶具有金刚石型结构，其中Ge原子的杂化方式为__________，微粒之间存在的作用力是________。
(5)晶胞有两个基本要素：
①原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置。如图为Ge单晶的晶胞，其中原子坐标参数A为（0，0，0）；B为(
，0，)；C(，0，)，则D原子的坐标参数为_________。
②晶胞参数：描述晶胞的大小和形状。已知Ge单晶的晶胞参数a=565.76 pm，其密度为_______ g·cm3（列出计算式即可）。
M是第四周期元素，最外层只有1个电子，次外层的所有原子轨道均充满电子。元素Y的负一价离子的最外层电子数与次外层的相同。回答下列问题：
（1）单质M的晶体类型为______，晶体中原子间通过_____作用形成面心立方密堆积，其中M原子的配位数为______。
（2）元素Y基态原子的核外电子排布式为________，其同周期元素中，第一电离能最大的是______（写元素符号）。元素Y的含氧酸中，酸性最强的是________（写化学式），该酸根离子的立体构型为________。
（3）M与Y形成的一种化合物的立方晶胞如图所示。
①该化合物的化学式为_______，已知晶胞参数a=0.542 nm，此晶体的密度为_______g·cm–3。（写出计算式，不要求计算结果。阿伏加德罗常数为NA）
②该化合物难溶于水但易溶于氨水，其原因是________。此化合物的氨水溶液遇到空气则被氧化为深蓝色，深蓝色溶液中阳离子的化学式为_______。
