设NA代表阿伏加德罗常数，下列说法正确的是（ ）
A. 标准状况下，22.4LH2O含NA个分子
B. 0.5 mol CO2含有的原子数目为0.5NA
C. 40g氖气所含的分子数目为NA
D. 常温常压下，1.6g O2和O3混合气体中质子总数为0.8NA
本草纲目记载了烧酒的制造工艺：“凡酸坏之酒，皆可蒸烧”，“以烧酒复烧二次价值数倍也”。其方法与下列分离方法相对应的是（ ）
A.蒸馏 B.蒸发 C.过滤 D.分液
下列物质与常用危险化学品的类别不对应的是（ ）
A.NaOH是腐蚀品 B.CH4是易燃液体
C.Na是遇湿易燃物品 D.KMnO4是氧化剂
某实验小组同学为了测定工业纯碱的纯度，进行了一系列实验。
（1）和索氏制碱法相比，侯氏制碱法的优势有___________________________________；
（2）工业纯碱中常含有少量NaCl杂质，解释原因__________________________，检验是否含有氯化钠杂质的方法为__________________________________________________________；
（3）使用重量法测定纯碱的纯度，用到的试剂有__________________________________；
（4）使用滴定法测定纯碱的纯度，用_________________（填仪器名称）称量1.200g工业纯碱样品，溶解，用1mol/L盐酸做标准液，滴定过程中溶液pH变化和生成CO2的量如图所示，A点溶液呈碱性的原因______________________________________________________，计算该工业纯碱样品的质量分数_______________。（计算结果保留两位小数）
。
光刻胶（I）是半导体制造的一种重要材料，其中一种合成路线如下，完成下列填空。
已知：
（1）A的电子式_____________，E的结构简式_____________；
（2）C→D反应的试剂和条件为_____________，F→G的反应类型_____________；
（3）D+H→I的化学反应方程式___________________________________________；
（4）H的芳香类同分异构体中，可以发生水解反应和银镜反应的有_________种；
（5）
是重要的工业加工助剂，写出以乙烯和乙醛为原料制备
的合成路线。（其它无机试剂任选），（合成路线常用的表达方式为：A
B
目标产物）___________________
氮化镓(
)材料具有低的热产生率和高的击穿电场，是制造大功率和高频微波电子器件的理想半导体材料。
已知：①Ga和Al同主族且相邻，化学性质与铝相似；②在室温下，氮化镓不溶于水，硬度高，熔点高，能与热的碱溶液缓慢反应。
(1)配平氮化镓制备的化学方程式：□Ga(l)+□NH3(g)⇌□GaN(s)+□H2(g)+QkJ(Q＞0)_____________
(2)上述反应的平衡常数表达式K=_____________；在恒温恒容密闭容器中制备氮化镓，下列有关说法正确的是_____________
A.Ⅰ图像中如果纵坐标为正反应速率，则t时刻改变的条件可能是加压
B.Ⅱ图像中纵坐标可以为镓的转化率
C.Ⅲ图像中纵坐标可以为化学反应速率
D.Ⅳ图像中纵坐标可以为平衡常数
(3)Ga最外层电子的核外电子排布式___________________，N核外能量最高的电子亚层上电子云空间伸展方向有_____________种；
(4)氮化镓的晶体类型_____________，氮化铝和氮化镓晶体类型相同，且结构相似，比较两者熔点的高低并解释原因_____________________________________________________________；
(5)写出氮化镓溶于热的NaOH溶液的离子方程式____________________________________。
