Question

工业上高纯硅可通过下列反应制取：SiCl₄(g)＋2H₂(g)Si(s)＋4HCl(g)，有关化学键的键能数据如表所示：

化学键	Si—Cl	H—H	H—Cl	Si—Si	Si—C
键能kJ/mol	360	436	431	176	347

下列说法正确的是（    ）

A.反应中的能量变化与物质的状态无关

B.像这样需要加热才能进行的反应都是吸热反应

C.晶体硅比SiC更稳定

D.该反应中每生成1molSi(s)吸收的能量为236kJ

Answer

D

【解析】

A．化学反应中的能量变化与物质的状态有关，能量：气态>液态>固态，A错误；

B．吸热反应与放热反应与反应条件无关，氢氧化钡晶体与氯化铵常温下反应，该反应为吸热反应，B错误；

C．晶体硅和SiC都是原子晶体，同主族，从上到下，原子半径增大，原子半径：Si>C，则硅碳之间的键长小于硅硅之间的键长，键长越短，越稳定，所以SiC比晶体硅更稳定，C错误；

D．∆ H=反应物的总键能-生成物的总键能，根据SiCl4(g)＋2H2(g)Si(s)＋4HCl(g)，∆H=（360×4+436×2-176×2-431×4）kJ/mol=+236kJ/mol，所以每生成1molSi(s)吸收的能量为236kJ，D正确；

故答案为：D。