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下列物质熔沸点高低的比较,正确的是 A.SiO2

下列物质熔沸点高低的比较,正确的是

A.SiO2<CO2 B.CCl4<CF4 C.HF>HI D.NaCl<HCl

 

C 【解析】 不同类型晶体熔沸点高低的比较:一般来说,原子晶体>离子晶体>分子晶体;分子晶体中含有氢键的熔沸点较高;同种类型的分子晶体相对分子质量越大,熔沸点越高。 A、SiO2为原子晶体,CO2为分子晶体,熔沸点高低顺序为:SiO2>CO2,故A错误; B、CCl4与CF4都为分子晶体,相对分子质量越大,熔沸点越高,正确顺序应为:CCl4>CF4,故B错误; C、HF与HI都为分子晶体,HF能形成分子间氢键,则熔沸点较高,所以顺序为:HF>HI,故C正确; D、NaCl是离子晶体,HCl是分子晶体,则熔沸点顺序为:NaCl>HCl,故D错误; 故选C。  
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考点分析:
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下列晶体熔化时不需要破坏化学键的是

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A. 反应后溶液中不存在任何沉淀,所以反应前后Cu2+的浓度不变

B. [Cu(NH3)4] 2+离子中,Cu2+给出孤对电子,NH3提供空轨道

C. 向反应后的溶液加入乙醇,溶液没有发生变化

D. 沉淀溶解后,将生成深蓝色的配合离子[Cu(NH3)4] 2+

 

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用价层电子对互斥理论预测H2SBF3的立体结构,两个结论都正确的是( )

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