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下列说法正确的是( ) A.F、Cl、Br的最外层电子数都是7,次外层电子数都是...

下列说法正确的是(    )

A.FClBr的最外层电子数都是7,次外层电子数都是8

B.HFHClHBrHI水溶液酸性逐渐增强的事实,推出FClBrI的非金属性逐渐增强的规律

C.砹是第6周期的卤族元素,根据卤素性质的递变规律可知,砹单质易溶于水,难溶于CCl4

D.卤素按FClBrI的顺序,其非金属性逐渐减弱的原因是随着核电荷数的增大电子层数增大起主要作用

 

D 【解析】 A.F位于周期表第二周期,次外层电子数为2,故A错误; B.F、Cl、Br、I的非金属性逐渐减弱,但HF、HCl、HBr、HI酸性递增,故B错误; C.砹单质为非极性分子,难溶于水,易溶于CCl4,故C错误; D.F、Cl、Br、I位于同一主族,原子序数逐渐增大,原子半径增大,核对外层电子吸引力减弱,则非金属性逐渐减弱,故D正确; 故答案为D。  
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考点分析:
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针对如图所示的实验室制取氨气,下列说法正确的是

A.发生装置与用 KClO3 制取O2 的装置相同

B.可以用碱石灰或无水氯化钙干燥制得的氨气

C.可用单孔橡皮塞代替棉花

D.所用的铵盐可以是 NH4NO3,所用的碱也可以是 NaOH

 

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关于下列各装置图的叙述中,不正确的是 (  )

A.可验证HCl气体在水中的溶解性

B.可用于收集H2NH3Cl2HClNO2NO

C.X为四氯化碳,可用于氨气或氯化氢的尾气处理

D.可用于干燥、收集氨气,并吸收多余的氨气

 

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习主席在2020年新年贺词中强调“5G商用加速推出,凝结着新时代奋斗者的心血和汗水,彰显了不同凡响的中国风采、中国力量,制造芯片用到高纯硅,用SiHCl3与过量H211001200℃反应制备高纯硅的装置如下图所示(热源及夹持装置略去)。

已知: SiHCl3 遇水H2O 强烈水解,在空气中易自燃。下列说法错误的是(  

A.装置 B 中的试剂是浓硫酸

B.实验时先打开装置C中分液漏斗的旋塞

C.装置C中的烧瓶需要加热,其目的是使滴入烧瓶中的SiHCl3气化

D.装置D不能采用普通玻璃管的原因是在反应温度下,普通玻璃管会软化

 

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某实验小组利用下图装置制取少量氯化铝,已知氯化铝熔沸点都很低(178℃升华),且易水解。下列说法中完全正确的一组是

①氯气中含的水蒸气和氯化氢可通过盛有苛性钠的干燥管除去 ②装置I中充满黄绿色气体后,再加热盛有铝粉的硬质玻璃管 ③装置II是收集装置,用于收集氯化铝④装置III可盛放碱石灰也可盛放无水氯化钙,二者的作用相同 a处使用较粗的导气管实验时更安全

A.①② B.②③⑤ C.①④ D.③④⑤

 

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短周期主族元素WXYZ,它们在周期表中位置如图所示,X的一种氢化物与其最高价氧化物对应水化物反应生成盐。下列说法正确的是

A.T元素单质具有半导体的特性,TY元素可形成两种化合物TY

B.YZ和氢三种元素形成的化合物中,Z的化合价越高氧化性越强

C.W的氧化物是酸性氧化物,能与碱、水反应,不能与酸反应

D.X的氢化物分子中所有原子均满足8电子结构

 

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