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14.一列简谐波在两时刻的波形如题14图中实践和虚线所示,由图可确定这列波的 A...

14.一列简谐波在两时刻的波形如题14图中实践和虚线所示,由图可确定这列波的

说明: 6ec8aac122bd4f6e

A.周期

B.波速

C.波长

D.频率

 

C 【解析】
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考点分析:
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[物理选修3-5](本题共2小题,每小题6分,共12分。每小题只有一个选项符合题意)

(1)6ec8aac122bd4f6e测年法是利用6ec8aac122bd4f6e衰变规律对古生物进行年代测定的方法。若以横坐标t表示时间,纵坐标m表示任意时刻6ec8aac122bd4f6e的质量,6ec8aac122bd4f6e为t=0时6ec8aac122bd4f6e的质量。下面四幅图中能正确反映6ec8aac122bd4f6e衰变规律的是           。(填选项前的字母)

说明: 6ec8aac122bd4f6e

(2)如图所示,一个木箱原来静止在光滑水平面上,木箱内粗糙的底板上放着一个小木块。木箱和小木块都具有一定的质量。现使木箱获得一个向右的初速度6ec8aac122bd4f6e,则   。(填选项前的字母)

说明: 6ec8aac122bd4f6e

 A. 小木块和木箱最终都将静止

 B. 小木块最终将相对木箱静止,二者一起向右运动

 C. 小木块在木箱内壁将始终来回往复碰撞,而木箱一直向右运动

 D. 如果小木块与木箱的左壁碰撞后相对木箱静止,则二者将一起向左运动

 

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[物理选修3-3](本题共2小题,第小题6分,共12分。第小题只有一个选项符合题意)

(1)1859年麦克斯韦从理论上推导出了气体分子速率的分布规律,后来有许多实验验证了这一规律。若以横坐标6ec8aac122bd4f6e表示分子速率,纵坐标6ec8aac122bd4f6e表示各速率区间的分子数占总分子数的百分比。下面四幅图中能正确表示某一温度下气体分子速率分布规律的是     。(填选项前的字母)

                说明: 6ec8aac122bd4f6e

(2)如图所示,一定质量的理想气体密封在绝热(即与外界不发生热交换)容器中,容器内装有一可以活动的绝热活塞。今对活塞施以一竖直向下的压力F,使活塞缓慢向下移动一段距离后,气体的体积减小。若忽略活塞与容器壁间的摩擦力,则被密封的气体      。(填选项前的字母)说明: 6ec8aac122bd4f6e

     A.温度升高,压强增大,内能减少              B.温度降低,压强增大,内能减少

     C.温度升高,压强增大,内能增加              D.温度降低,压强减小,内能增加

 

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(20分)如图所示,物体A放在足够长的木板B上,木板B静止于水平面。t=0时,电动机通过水平细绳以恒力F拉木板B,使它做初速度为零,加速度aB=1.0m/s2的匀加速直线运动。已知A的质量mA和B的质量mg均为2.0kg,A、B之间的动摩擦因数6ec8aac122bd4f6e=0.05,B与水平面之间的动摩擦因数6ec8aac122bd4f6e=0.1,最大静摩擦力与滑动摩擦力大小视为相等,重力加速度g取10m/s2。求

说明: 6ec8aac122bd4f6e

(1)物体A刚运动时的加速度aA

(2)t=1.0s时,电动机的输出功率P;

(3)若t=1.0s时,将电动机的输出功率立即调整为P`=5W,并在以后的运动过程中始终保持这一功率不变,t=3.8s时物体A的速度为1.2m/s。则在t=1.0s到t=3.8s这段时间内木板B的位移为多少?

 

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(19分)

如图所示,两条平行的光滑金属导轨固定在倾角为6ec8aac122bd4f6e的绝缘斜面上,导轨上端连接一个定值电阻。导体棒a和b放在导轨上,与导轨垂直并良好接触。斜面上水平虚线PQ以下区域内,存在着垂直穿过斜面向上的匀强磁场。现对a棒施以平行导轨斜向上的拉力,使它沿导轨匀速向上运动,此时放在导轨下端的b棒恰好静止。当a棒运动到磁场的上边界PQ处时,撤去拉力,a棒将继续沿导轨向上运动一小段距离后再向选滑动,此时b棒已滑离导轨。当a棒再次滑回到磁场边界PQ处时,又恰能沿导轨匀速向下运动。已知a棒、b棒和定值电阻的阻值均为R,b棒的质量为m,重力加速度为g,导轨电阻不计。求

说明: 6ec8aac122bd4f6e

(1)   a棒在磁场中沿导轨向上运动的过程中,a棒中的电流强度I,与定值电阻R中的电流强度IR之比;

(2)   a棒质量ma;

a棒在磁场中沿导轨向上运动时所受的拉力F。

 

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(15分)

如图所示的装置,左半部为速度选择器,右半部为匀强的偏转电场。一束同位素离子流从狭缝S1射入速度选择器,能够沿直线通过速度选择器并从狭缝S2射出的离子,又沿着与电场垂直的方向,立即进入场强大小为6ec8aac122bd4f6e的偏转电场,最后打在照相底片6ec8aac122bd4f6e上。已知同位素离子的电荷量为6ec8aac122bd4f6e(6ec8aac122bd4f6e>0),速度选择器内部存在着相互垂直的场强大小为6ec8aac122bd4f6e的匀强电场和磁感应强度大小为6ec8aac122bd4f6e的匀强磁场,照相底片6ec8aac122bd4f6e与狭缝S1、S2的连线平行且距离为6ec8aac122bd4f6e,忽略重力的影响。

说明: 6ec8aac122bd4f6e

(1)求从狭缝S2射出的离子速度6ec8aac122bd4f6e的大小;

(2)若打在照相底片上的离子在偏转电场中沿速度6ec8aac122bd4f6e方向飞行的距离为6ec8aac122bd4f6e,求出6ec8aac122bd4f6e与离子质量6ec8aac122bd4f6e之间的关系式(用6ec8aac122bd4f6e6ec8aac122bd4f6e6ec8aac122bd4f6e6ec8aac122bd4f6e6ec8aac122bd4f6e、L表示)。

 

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