如图所示是电阻R1和R2的伏安特性曲线，且把第一象限分成了Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域．现将R1和R2并联在电路中，其电功率分别用P1和P2表示，并联的总电阻为R，下列关于R的伏安特性曲线应该在的区域以及P1、P2大小关系正确的是
A．特性曲线在Ⅰ区，P1＜P2 B．特性曲线在Ⅲ区，P1＜P2
C．特性曲线在Ⅰ区，P1＞P2 D．特性曲线在Ⅲ区，P1＞P2
已知满偏电流为2mA、内阻为500Ω的电流表，给它串联一个14.5kΩ的电阻后，作为电压表使用，该电压表的量程为
A．10V B．29V C．30V D．100V
如图是点电荷电场中的一条电场线，下列说法正确的是
A．A点电势一定大于0
B．B点的电势一定比C高
C．B点的场强一定比C强
D．该电场线一定是正点电荷形成的电场中的一条电场线
已知真空中有一点电荷＋Q1，在距其
的P点放一电量为＋Q2的检验电荷，检验电荷受电场力为F，则下列说法正确的是
A．P点处场强大小为F/Q1
B．P点处的场强大小等于F/Q2，也等于KQ2/r2
C．检验电荷的电量变为2Ｑ2，它受到的电场力将变为2F，而P处场强为F/Q2
D．若在P点不放检验电荷，则无法确定该点场强方向
下列说法正确的是
A．半导体材料导电性能不受外界条件的影响
B．超导现象就是在温度降到某一临界值时电阻率突然降为零的现象
C．由
可知，R与导体两端电压U成正比，与通过导体的电流I成反比
D．由ρ= RS/L可知，ρ与S成正比，与L成反比
如图所示，BCDG是光滑绝缘的圆形轨道，位于竖直平面内，轨道半径为R，下端与水平绝缘轨道在B点平滑连接，整个轨道处在水平向左的匀强电场中，现有一质量为m、带正电的小滑块(可视为质点)置于水平轨道上，滑块受到的电场力大小为mg（g为重力加速度），滑块与水平轨道间的动摩擦因数为0.5，求：
1.若滑块从水平轨道上距离B点s＝3R的A点由静止释放，滑块到达与圆心O等高的C点时速度为多大？
2.在(1)的情况下，求滑块到达C点时受到轨道的作用力大小；
3.改变s的大小，使滑块能沿圆周轨道滑行至与圆心等高的G点，求s应满足的条件。
