在匀强电场中将一个带电量为q、质量为的小球由静止释放,小球的运动轨迹为一直线,此直线与竖直方向的夹角为θ,则匀强电场E的最小值是
A. B. C. D.
如图所示是电阻R1和R2的伏安特性曲线,且把第一象限分成了Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域.现将R1和R2并联在电路中,其电功率分别用P1和P2表示,并联的总电阻为R,下列关于R的伏安特性曲线应该在的区域以及P1、P2大小关系正确的是
A.特性曲线在Ⅰ区,P1<P2 B.特性曲线在Ⅲ区,P1<P2
C.特性曲线在Ⅰ区,P1>P2 D.特性曲线在Ⅲ区,P1>P2
已知满偏电流为2mA、内阻为500Ω的电流表,给它串联一个14.5kΩ的电阻后,作为电压表使用,该电压表的量程为
A.10V B.29V C.30V D.100V
如图是点电荷电场中的一条电场线,下列说法正确的是
A.A点电势一定大于0
B.B点的电势一定比C高
C.B点的场强一定比C强
D.该电场线一定是正点电荷形成的电场中的一条电场线
已知真空中有一点电荷+Q1,在距其的P点放一电量为+Q2的检验电荷,检验电荷受电场力为F,则下列说法正确的是
A.P点处场强大小为F/Q1
B.P点处的场强大小等于F/Q2,也等于KQ2/r2
C.检验电荷的电量变为2Q2,它受到的电场力将变为2F,而P处场强为F/Q2
D.若在P点不放检验电荷,则无法确定该点场强方向
下列说法正确的是
A.半导体材料导电性能不受外界条件的影响
B.超导现象就是在温度降到某一临界值时电阻率突然降为零的现象
C.由可知,R与导体两端电压U成正比,与通过导体的电流I成反比
D.由ρ= RS/L可知,ρ与S成正比,与L成反比