如图5所示，电子在电压为U1的电场中由静止加速后，垂直射入电压为U2的偏转电场. 在满足电子能射出偏转电场的条件下，下列四种情况中，一定能使电子的偏转角变大的是
A．U1变大, U2变大
B．U1变小, U2变大
C．U1变大, U2变小
D．U1变小, U2变小
如图所示，图中实线是一簇未标明方向的由点电荷产生的电场线，虚线是某一带电粒子通过该电场区域时的运动轨迹，a、b是轨迹上的两点．若粒子在运动中只受电场力作用。能根据此图作出正确判断的是
A．带电粒子所带电荷的符号
B．粒子在a、b 两点的受力方向
C．粒子在a、b 两点何处速度大
D．a、b 两点何处电场强度大
如图所示，在第一象限内有垂直纸面向里的匀强磁场，一对正、负电子分别以相同速度沿与x轴成30o角从原点射入磁场，则正、负电子在磁场中运动时间之比为
A．1：2 B．2：1 C．
D．1：15
如图电路中，当滑动变阻器的滑片P向上端a滑动过程中，两表的示数情况为
A.电压表示数增大，电流表示数减少
B.电压表示数减少，电流表示数增大
C.两电表示数都增大
D.两电表示数都减少
如图所示为电阻R1和R2的伏安特性曲线，并且把第一象限分为了Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域．现把R1和R2并联在电路中，消耗的电功率分别用P1和P2表示；并联的总电阻设为R．下列关于P1与P2的大小关系及R的伏安特性曲线应该在的区域正确的是( )
A．特性曲线在Ⅰ区，P1<P 2
B．特性曲线在Ⅲ区，P1<P2
C．特性曲线在Ⅰ区，P1＞P2
D．特性曲线在Ⅲ区，P1＞P2
如图所示，足够长的光滑平行金属导轨MN、PQ竖直放置，磁感应强度B＝0.50T匀强磁场垂直穿过导轨平面，导轨的上端M与P间连接阻值为R＝0.50Ω的电阻，导轨宽度L＝0.40m。金属棒ab紧贴在导轨上，现使金属棒ab由静止开始下滑，通过传感器记录金属棒ab下滑的距离h与时间t的关系如下表所示。（金属棒ab和导轨电阻不计，g=10m/s2）
|
时 间t/s |
0 |
0.20 |
0.40 |
0.60 |
0.80 |
1.00 |
1.20 |
1.40 |
1.60 |
1.80 |
|
下滑距离h/m |
0 |
0.18 |
0.60 |
1.20 |
1.95 |
2.80 |
3.80 |
4.80 |
5.80 |
6.80 |
求：（1）在前0. 4s的时间内，金属棒ab中的平均电动势；
（2）金属棒的质量m；
（3）在前1.60s的时间内，电阻R上产生的热量QR 。
