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半导体材料导电性能受光照影响较大,当光照增强时,其导电性能大幅度提高,表现为电阻...

半导体材料导电性能受光照影响较大,当光照增强时,其导电性能大幅度提高,表现为电阻减小,因而可用来制作成光敏电阻将光信号转化为电信号。如图所示,R1、R2为定值电阻,L为小灯泡,R3为光敏电阻,当照射光强度增大时

6ec8aac122bd4f6e

A.电压表示数增大       B.R2中电流增大

C.小灯泡L的功率增大   D.电路中路端电压降低

 

ACD 【解析】本题考查的是传感器方面的知识和闭合电路欧姆定律结合。当照射光强度增大时,其电阻减小,并联电阻减小,所以并联电路两端电压减小,R2不变,所以通过其的电流减小,B错误;电路总电阻减小,电路中的干路电流变大,所以R1两端的电压变大,即电压表示数变大,A正确;电路中的干路电流变大,内电路损耗变大,所以外电路路端电压降低,D正确;因为电路中的干路电流变大,通过R2的电流减小,所以通过R1 的电流变大,所以小灯泡L的功率增大,C正确。
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考点分析:
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如图所示是某一点电荷的电场线分布图,a、b、c三点到该点电荷的距离分别为ra、rb、rc,且ra= rb< rc ,则下列表述正确的是

6ec8aac122bd4f6e

A.该点电荷带正电

B.a、b两点的场强相同

C.a、b两点的电势相等 

D.将负电荷从a点移到c点,其电势能减少

 

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下列说法正确的是

A.公式6ec8aac122bd4f6e适合于任意电场

B.公式6ec8aac122bd4f6e中的6ec8aac122bd4f6e是产生电场E的源电荷

C.公式6ec8aac122bd4f6e中的B是电流I所产生的磁场的磁感应强度

D.由公式6ec8aac122bd4f6e知,电容器的电容6ec8aac122bd4f6e与电容器带电量6ec8aac122bd4f6e成正比

 

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如图所示,带电粒子以速度v刚刚进入磁感应强度为B的磁场,下列各图所标的带电粒子+q所受洛伦兹力F的方向中,正确的是

6ec8aac122bd4f6e

 

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如图所示为一真空示波管,电子从灯丝K发出(初速度不计),经灯丝与A板间的加速电压U1加速,从A板中心孔沿中心线KO射出,然后进入两块平行金属板M、N形成的偏转电场中(偏转电场可视为匀强电场),电子进入M、N间电场时的速度与电场方向垂直,电子经过电场后打在荧光屏上的P点。已知加速电压为U1,M、N两板间的电压为U2,两板间的距离为d,板长为L1,板右端到荧光屏的距离为L2,电子的质量为m,电荷量为e。求:

6ec8aac122bd4f6e

(1)电子穿过A板时的速度大小;

(2)电子从偏转电场射出时的侧移量;

(3)P点到O点的距离。

 

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在长绳的一端系一个质量为m的小球,绳的长度为L,能够承受的最大拉力为7mg。用绳拉着小球在竖直面内做圆周运动,小球到达最低点的最大速度应为

A.6ec8aac122bd4f6e              B.6ec8aac122bd4f6e          C.6ec8aac122bd4f6e         D.6ec8aac122bd4f6e

 

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