如图所示，正负电子垂直磁场沿与边界成300角方向射入匀强磁场中，则正负电子在磁场中运动的时间之比为
A．1：1
B．1：2
C．1：5
D．1：6
半导体材料导电性能受光照影响较大，当光照增强时，其导电性能大幅度提高，表现为电阻减小，因而可用来制作成光敏电阻将光信号转化为电信号。如图所示，R1、R2为定值电阻，L为小灯泡，R3为光敏电阻，当照射光强度增大时
A．电压表示数增大 B．R2中电流增大
C．小灯泡L的功率增大 D．电路中路端电压降低
如图所示是某一点电荷的电场线分布图，a、b、c三点到该点电荷的距离分别为ra、rb、rc，且ra= rb＜ rc ,则下列表述正确的是
A．该点电荷带正电
B．a、b两点的场强相同
C．a、b两点的电势相等
D．将负电荷从a点移到c点，其电势能减少
下列说法正确的是
A．公式
适合于任意电场
B．公式
中的
是产生电场E的源电荷
C．公式
中的B是电流I所产生的磁场的磁感应强度
D．由公式
知，电容器的电容
与电容器带电量成正比
如图所示，带电粒子以速度v刚刚进入磁感应强度为B的磁场，下列各图所标的带电粒子＋q所受洛伦兹力F的方向中，正确的是
如图所示为一真空示波管，电子从灯丝K发出（初速度不计），经灯丝与A板间的加速电压U1加速，从A板中心孔沿中心线KO射出，然后进入两块平行金属板M、N形成的偏转电场中（偏转电场可视为匀强电场），电子进入M、N间电场时的速度与电场方向垂直，电子经过电场后打在荧光屏上的P点。已知加速电压为U1，M、N两板间的电压为U2，两板间的距离为d，板长为L1，板右端到荧光屏的距离为L2，电子的质量为m，电荷量为e。求：
（1）电子穿过A板时的速度大小；
（2）电子从偏转电场射出时的侧移量；
（3）P点到O点的距离。
