如图甲所示,理想变压器原、副线圈的匝数之比为10:1,R1=20Ω,R2=30Ω,C为电容器。已知通过R1的正弦交流电如图乙所示,则
甲 乙
A.交流电的频率为0.02Hz
B.原线圈输入电压的最大值为220V
C.电阻R2的电功率约为6.67W
D.通过R3的电流始终为零
如图所示,正负电子垂直磁场沿与边界成300角方向射入匀强磁场中,则正负电子在磁场中运动的时间之比为
A.1:1
B.1:2
C.1:5
D.1:6
半导体材料导电性能受光照影响较大,当光照增强时,其导电性能大幅度提高,表现为电阻减小,因而可用来制作成光敏电阻将光信号转化为电信号。如图所示,R1、R2为定值电阻,L为小灯泡,R3为光敏电阻,当照射光强度增大时
A.电压表示数增大 B.R2中电流增大
C.小灯泡L的功率增大 D.电路中路端电压降低
如图所示是某一点电荷的电场线分布图,a、b、c三点到该点电荷的距离分别为ra、rb、rc,且ra= rb< rc ,则下列表述正确的是
A.该点电荷带正电
B.a、b两点的场强相同
C.a、b两点的电势相等
D.将负电荷从a点移到c点,其电势能减少
下列说法正确的是
A.公式适合于任意电场
B.公式中的是产生电场E的源电荷
C.公式中的B是电流I所产生的磁场的磁感应强度
D.由公式知,电容器的电容与电容器带电量成正比
如图所示,带电粒子以速度v刚刚进入磁感应强度为B的磁场,下列各图所标的带电粒子+q所受洛伦兹力F的方向中,正确的是