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位于竖直平面内的矩形平面导线框abdc,ab长L1=1.0 m,bd长L2=0....

位于竖直平面内的矩形平面导线框abdc,ab长L1=1.0 m,bd长L2=0.5 m,线框的质量m=0.2 kg,电阻R=2 Ω.其下方有一匀强磁场区域,该区域的上、下边界PP′和QQ′均与ab平行.两边界间距离为H,H>L2,磁场的磁感应强度B=1.0 T,方向与线框平面垂直。如图27所示,令线框的dc边从离磁场区域上边界PP′的距离为h=0.7 m处自由下落.已知线框的dc边进入磁场以后,ab边到达边界PP′之前的某一时刻线框的速度已达到这一阶段的最大值.问从线框开始下落,到dc边刚刚到达磁场区域下边界QQ′的过程中,磁场作用于线框的安培力所做的总功为多少?(g取10 m/s2)

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-0.8 J 【解析】本题中重力势能转化为电能和动能,而安培力做的总功使重力势能一部分转化为电能,电能的多少等于安培力做的功. 依题意,线框的ab边到达磁场边界PP′之前的某一时刻线框的速度达到这一阶段速度最大值,以v0表示这一最大速度,则有 E=BL1v0 线框中电流 I== 作用于线框上的安培力 F=BL1I= 速度达到最大值条件是 F=mg 所以v0==4 m/s. dc边继续向下运动过程中,直至线框的ab边达到磁场的上边界PP′,线框保持速度v0不变,故从线框自由下落至ab边进入磁场过程中,由动能定理得: mg(h+L2)+W安=mv W安=mv-mg(h+L2)=-0.8 J ab边进入磁场后,直到dc边到达磁场区下边界QQ′过程中,作用于整个线框的安培力为零,安培力做功也为零,线框只在重力作用下做加速运动,故线框从开始下落到dc边刚到达磁场区域下边界QQ′过程中,安培力做的总功即为线框自由下落至ab边进入磁场过程中安培力所做的功 W安=-0.8 J 负号表示安培力做负功.
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考点分析:
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如下图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场,方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始终与MN垂直.从D点到达边界开始到C点进入磁场为止,下列结论正确的是(  )

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A.感应电流方向发生变化

B.CD段直导线始终不受安培力

C.感应电动势最大值Em=Bav

D.感应电动势平均值6ec8aac122bd4f6e6ec8aac122bd4f6eBav

 

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如右图a是用电流传感器(相当于电流表,其电阻可以忽略不计)研究自感现象的实验电路,图中两个电阻的阻值均为R,L是一个自感系数足够大的自感线圈,其直流电阻值也为R.图b是某同学画出的在t0时刻开关S切换前后,通过传感器的电流随时间变化的图象.关于这些图象,下列说法中正确的是(  )

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a

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b

A.图b中甲是开关S由断开变为闭合,通过传感器1的电流随时间变化的情况

B.图b中乙是开关S由断开变为闭合,通过传感器2的电流随时间变化的情况

C.图b中丙是开关S由闭合变为断开,通过传感器2的电流随时间变化的情况

D.图b中丁是开关S由闭合变为断开,通过传感器2的电流随时间变化的情况

 

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穿过闭合回路的磁通量Φ随时间t变化的图象分别如图①~④所示,下列关于回路中产生的感应电动势的论述,正确的是(  )

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A.图①中,回路产生的感应电动势恒定不变

B.图②中,回路产生的感应电动势一直不变

C.图③中,回路在0~t1时间内产生的感应电动势小于在t1~t2时间内产生的感应电动势

D.图④中,回路产生的感应电动势先变小再变大

 

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如图所示,两块竖直放置的金属板间距为d,用导线与一匝数为n的线圈连接.线圈内部分布有方向水平向左的匀强磁场.两板间有一个一定质量、电荷量为+q的油滴在与水平方向成30°角斜向右上方的恒力F的作用下恰好处于平衡状态.则线圈内磁场的变化情况和磁通量的变化率分别是(  )

 

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A.磁场正在增强,6ec8aac122bd4f6e6ec8aac122bd4f6e

B.磁场正在减弱,6ec8aac122bd4f6e6ec8aac122bd4f6e

C.磁场正在减弱,6ec8aac122bd4f6e6ec8aac122bd4f6e

D.磁场正在增强,6ec8aac122bd4f6e6ec8aac122bd4f6e

 

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(2011·广东理综·T15)将闭合多匝线圈置于仅随时间变化的磁场中,线圈平面与磁场方向垂直,关于线圈中产生的感应电动势和感应电流,下列表述正确的是

A.感应电动势的大小与线圈的匝数无关

B.穿过线圈的磁通量越大,感应电动势越大

C.穿过线圈的磁通量变化越快,感应电动势越大

D.感应电流产生的磁场方向与原磁场方向始终相同

 

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