用波长为λ的单色光照射单缝O，经双缝N、M在屏上产生明暗相间的干涉条纹，如图所示，图中a、b、c、d、e为相邻亮条纹的位置，c为中央亮条纹，则光从
A．O到达a、b的路程差为零
B．N、M到达b的路程差为λ
C．O到达a、c的路程差为4λ
D．N、M到达e的路程差为2λ
点光源照射一个障碍物，在屏上所成的阴影的边缘部分模糊不清，产生的原因是
A．光的反射 B．光的折射 C．光的干涉 D．光的衍射
下面有关光的干涉现象的描述中，正确的是
A．在光的双缝干涉实验中，将入射光由绿光改为紫光，则条纹间隔变宽
B．白光经肥皂膜前后表面反射后，反射光发生干涉形成彩色条纹
C．在光的双缝干涉实验中，若缝S1射入绿光，S2射入紫光，则条纹是彩色的
D．光的干涉现象说明光具有波动性
薄膜干涉条纹产生的原因是
A．薄膜内的反射光线和折射光线相互叠加
B．同一束光线经薄膜前后两表面反射后相互叠加
C．入射光线和从薄膜反射回来的光线叠加
D．明条纹是波峰和波峰叠加而成，暗条纹是波谷与波谷叠加而成
如图所示，导体框架的平行导轨间距d＝1m，框架平面与水平面夹角
＝30°，匀强磁场方向垂直框架平面向上，且B＝0.2T，导体棒ab的质量m＝0.2kg，R=0.1
，水平跨在导轨上，且可无摩擦滑动（g取10m/s2）求：
⑴ab下滑的最大速度
⑵以最大速度下滑时，ab棒上的电热功率。
如图所示，带负电的粒子垂直磁场方向进入圆形匀强磁场区域，出磁场时速度偏离原方向60°角，已知带电粒子质量m=3×10-20kg，电量q=10-13C，速度v0=105m/s，磁场区域的半径R=3×10-1m，不计重力，求磁场的磁感应强度。
