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霍尔式位移传感器的测量原理是:如图所示,有一个沿z轴方向的磁场,磁感应强度B=B...

霍尔式位移传感器的测量原理是:如图所示,有一个沿z轴方向的磁场,磁感应强度B=B+kz(B,k均为常数),将传感器固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图中箭头所示).当物体沿z轴方向移动时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向上的上、下表面的电势差U也不同.则( )
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A.磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大
B.k越大,传感器灵敏度(manfen5.com 满分网)越高
C.若图中霍尔元件是电子导电,则下板电势高
D.电流I取值越大,上、下表面的电势差U越小
霍尔元件中移动的是自由电子,自由电子受到洛伦兹力发生偏转,从而可知道上下表面电势的高低.上下两表面分别带上正负电荷,从而形成电势差,最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡. 【解析】 A、最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡,设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c,有,电流的微观表达式为I=nqvS=nqvbc,所以U=.B越大,上、下表面的电势差U越大.电流越大,上、下表面的电势差U越大.故A正确,D错误.     B、k越大,根据磁感应强度B=B+kz,知B随z的变化越大,根据U=.知,U随z的变化越大,即传感器灵敏度()越高.故B正确.     C、霍尔元件中移动的是自由电子,根据左手定则,电子向下表面偏转,所以上表面电势高.故C错误. 故选AB.
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