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如图,光滑平行的水平金属导轨MN、PQ相距L,在M点和P点间接一个阻值为R的电阻...

manfen5.com 满分网如图,光滑平行的水平金属导轨MN、PQ相距L,在M点和P点间接一个阻值为R的电阻,在两导轨间OO1O1′O′矩形区域内有垂直导轨平面竖直向下、宽为d的匀强磁场,磁感强度为B.一质量为m,电阻为r的导体棒ab,垂直搁在导轨上,与磁场左边界相距d.现用一大小为F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由静止开始运动,棒ab在离开磁场前已经做匀速直线运动(棒ab与导轨始终保持良好的接触且垂直导轨运动,导轨电阻不计).求:
(1)棒ab在离开磁场右边界时的速度;
(2)棒ab通过磁场区的过程中整个回路所消耗的电能;
(3)试分析讨论ab棒在磁场中可能的运动情况.
(1)导体棒进入磁场,切割磁感线产生感应电流,使得导体棒受到安培力作用,导体棒在磁场中做匀速运动时,其所受的外力和安培力平衡,据此可以求出棒的速度. (2)根据动能定理(或能量守恒定律)可以求出电路中消耗的电能,注意克服安培力所做功等于整个回路中产生的电能. (3)根据进入磁场时速度的大小,进一步求出刚进入磁场时金属棒所受安培力与力F的关系可判断导体棒的运动情况. 【解析】 (1)ab棒离开磁场右边界前做匀速运动的速度为V,     产生的电动势为:E=BLV电路中电流:     对ab棒,由平衡条件得:F-BIL=0             解得: 故棒ab在离开磁场右边界时的速度 . (2)由能量守恒定律:         解得: 故棒ab通过磁场区的过程中整个回路所消耗的电能为:. (3)设棒刚进入磁场时速度为V,则 ①当V=V,即F=BIL时,棒做匀速直线运动; ②当V<V,即F>BIL,棒做先加速后匀速直线运动; ③当V>V,即F<BIL时,棒做先减速后匀速直线运.
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考点分析:
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为了较精确地测量一只微安表的内阻,要求按照如图所示给出的电路进行测量,实验室中的可供选择的器材如下:
A.待测微安表(量程500μA,内阻约1kΩ)
B.电阻箱R(阻值0~999.9Ω)
C.滑动变阻器R1(阻值O~10Ω)
D.滑动变阻器R2(阻值0~1kΩ)
E.电源(电动势2V,内阻不计)
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(1)实验中滑动变阻器应选用______
(2)按照电路图将实物图连成实验电路.
(3)在实验过程中步骤如下:先将滑动变阻器R的滑片P移到最右端,调整电阻箱R的阻值为零,合上开关S,再将滑片P缓慢左移,使微安表上电流满偏,固定滑片P不动,调整R的阻值,使微安表上读数正好是满刻度的2/3,记下此时R的电阻为448.2Ω,那么微安表内阻的测量值应为______,测量值比真实值______(填“偏大”、“偏小”或“相等”).
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在测定一节干电池的电动势和内阻的实验中,现有下列器材:待测干电池一节,电流表G(满偏电流为2.5mA,内阻为199Ω),定值电阻R1=1.0.Ω,定值电阻R2=99.5.Ω,电阻箱R(0~99.9Ω),开关、导线若干.
(1)请在所给方框内,画出实验电路图,其中定值电阻应选用______(选填“R1”或“R2”);
(2)某同学实验测出了电阻箱的电阻R和电流表G的示数Ig,记录数据(见下表).请在下面坐标图中描点作出manfen5.com 满分网-R图线.
次数/物理量123456
R/Ω1.62.12.23.24.25.6
It/mA2.252.001.671.501.251.00
manfen5.com 满分网/(mA)-10.440.500.600.670.801.00
(3)根据图线可求得,被测电池的电动势E=______V,内阻为r=______Ω.
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A.电流表A1(满偏电流l0mA,内阻10Ω);
B.电流表A2 (0~0.6~3A,内阻未知);
C.滑动变阻器R(0~100Ω);
D.定值电阻R(阻值990Ω);
E.开关S与导线若干.
(1)该同学根据现有的实验器材,设计了如图所示的电路,请你按照电路图在图中完成实物连线
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(2)该同学根据上述设计的实验电路测出多组数据,绘出如图所示的I1一I2图线(I1为电流表A1的示数,I2为电流表A2的示数),则由图线可似得到被测电池的电动势E=______V,内阻r=______Ω.(保留两位有效数字)
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①该小组必须测定的物理量是沙堆底面的周长S和______
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试题属性
  • 题型:解答题
  • 难度:中等

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