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如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区...

如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II,两电场的边界均是边长为L的正方形(不计电子所受重力).
(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,求电子离开ABCD区域的位置.
(2)在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置.
(3)若将左侧电场II整体水平向右移动manfen5.com 满分网(n≥1),仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动),求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置.

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(1)、此问分为两个过程,一是在电场Ⅰ区域的加速运动,运用能量的关系可求出加速后的速度;二是在电场Ⅱ区域内的偏转,运用类平抛的知识可求出偏转距离,从而得到电子离开ABCD区域的位置. (2)、首先设出释放点的坐标,在运用在电场I中的加速和在电场II中的类平抛运动,计算出表示xy的乘积的方程,满足此式的点即为符合要求的点. (3)、该问分为三个阶段,一是在电场I中的直线加速运动,二是在电场II中的类平抛运动,三是从电场II射出后的匀速直线运动,结合第二问的解题思路,可求出结果. 【解析】 (1)设电子的质量为m,电量为e,在电场I中释放后将做出速度为零的匀加速直线运动,出区域I时的速度为vo,接着进入电场II做类平抛运动,假设电子从CD边射出,出射点纵坐标为y,对电子的整个运动过程运用动能定理和匀变速直线运动公式有: 以上两式联立解得:,所以原假设成立,即电子离开ABCD区域的位置坐标为(). (2)设释放点在电场区域I中,其坐标为(x,y),在电场I中电子被加速到v1,然后进入电场II做类平抛运动,并从D点离开,有:         以上两式联立解得:xy=,即在电场I区域内满足方程的点即为所求位置. (3)设电子从(x,y)点释放,在电场I中加速到v2,进入电场II后做类平抛运动,在高度为y′处离开电场II时的情景与(2)中类似,然后电子做匀速直线运动,经过D点,则有: , 以上各式解得:,即在电场I区域内满足方程的点即为所求位置. 答:(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,电子从()离开ABCD区域. (2)在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,所有释放点为满足的位置. (3)若将左侧电场II整体水平向右移动(n≥1),仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动),在电场I区域内由静止释放电子的所有位置为.
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考点分析:
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(1)求两列波的周期Ta和Tb
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如图所示是测量通电螺线管A内部磁感应强度B及其与电流I关系的实验装置.将截面积为S、匝数为N的小试测线圈P置于螺线管A中间,试测线圈平面与螺线管的轴线垂直,可认为穿过该试测线圈的磁场均匀.将试测线圈引线的两端与冲击电流计D相连.拨动双刀双掷换向开关K,改变通入螺线管的电流方向,而不改变电流大小,在P中产生的感应电流引起D的指针偏转.
(1)将开关合到位置1,待螺线管A中的电流稳定后,再将K从位置1拨到位置2,测得D的最大偏转距离为dm,已知冲击电流计的磁通灵敏度为Dφ,Dφ=manfen5.com 满分网,式中△ϕ为单匝试测线圈磁通量的变化量.则试测线圈所在处磁感应强度B=______;若将K从位置1拨到位置2的过程所用的时间为△t,则试测线圈P中产生的平均感应电动势ε=______
(2)调节可变电阻R,多次改变电流并拨动K,得到A中电流I和磁感应强度B的数据,见右表.由此可得,螺线管A内部在感应强度B和电流I的关系为B=______
实验次数I(A)B(×10-3T)
10.50.62
21.01.25
31.51.88
42.02.51
52.53.12
(3)(多选题)为了减小实验误差,提高测量的准确性,可采取的措施有
(A)适当增加试测线圈的匝数N
(B)适当增大试测线圈的横截面积S
(C)适当增大可变电阻R的阻值
(D)适当拨长拨动开关的时间△t.

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试题属性
  • 题型:解答题
  • 难度:中等

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