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如图所示,平行金属导轨MN和PQ与水平面成θ角,导轨两端各与阻值均为R的固定电阻...

如图所示,平行金属导轨MN和PQ与水平面成θ角,导轨两端各与阻值均为R的固定电阻R1和R2相连,匀强磁场垂直穿过导轨平面.质量为m、电阻为R/2的导体棒以一定的初速度沿导轨向上滑动,在滑动过程中导体棒与金属导轨始终垂直并接触良好.已知t1时刻导体棒上滑的速度为v1,此时导体棒所受安培力的功率为P1;t2时刻导体棒上滑的速度为v2,此时电阻R2消耗的电功率为P2,忽略平行金属导轨MN和PQ的电阻且不计空气阻力.则( )
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A.t1时刻电阻R1的功率为P1/2
B.t2时刻导体棒的电功率为4P2
C.t2时刻导体棒受到的安培力为4P2/v2
D.t1~t2这段时间内整个回路产生的电热manfen5.com 满分网
先根据安培定则整理出安培力的表达式,再根据电功率表达式整理出此的功率P1的表达式,解方程即可得到结果;金属棒上滑过程中速度减小,产生的电动势电流减小,即产生的总电能减小; 【解析】 A:已知t1时刻导体棒上滑的速度为v1,此时电阻R1消耗的电功率为P1; 此时电动势:E1=BLv1 流过金属棒的电流: 金属棒受到的安培力:   ① 此时电阻R1消耗的电功率为PR1: ② 导体棒上安培力的电功率: 所以:,故A错误. B:t2时刻导体棒上滑的速度为v2,此时电阻R2消耗的电功率为P2, 由于电阻R1与R2阻值相同,所以消耗功率相同,也为P2; 由于P2=I2R,而此时通过金属棒的电流为2I,金属棒的电阻为,所以金属棒消耗的电功率为:P=(2I)2=2P2,故B错误; C:则在t2时刻消耗的总功率为4P2,由于导体棒克服安培力做功就等于产生的电能,也等于消耗的总电能,故t2时刻导体棒克服安培力做功的功率为4P2,故C正确. D:在t1~t2这段时间内导体棒上升过程速度减小,减小的动能转化为金属棒产生的电能和金属棒的重力势能,所以这段时间内整个回路产生的电热小于导体棒动能的减小.故D错误. 故选:C
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考点分析:
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D.增大S,θ增大,说明C随S的增大而减小
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C.β射线的穿透能力比γ射线强,能穿透几厘米厚的铅板
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