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如图所示,两个垂直纸面的匀强磁场方向相反,磁感应强度的大小均为B,磁场区域的宽度...

如图所示,两个垂直纸面的匀强磁场方向相反,磁感应强度的大小均为B,磁场区域的宽度均为a,一正三角形(高度为a)导线框ABC从图示位置沿图示所示方向匀速穿过两磁场区域,以逆时针方向为电流的正方向,在图乙中感应电流I与线框移动距离x的关系图象正确的是( )
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线框匀速穿过两磁场区域时,分为三个过程:穿过左侧磁场,穿过两磁场分界线和穿过右侧磁场.由有效切割长度变化,根据感应电动势公式,分析感应电动势的变化,再分析感应电流的变化. 【解析】 A、x在a∽2a范围,线框穿过两磁场分界线时,BC、AC边在右侧磁场中切割磁感线,有效切割长度逐渐增大,产生的感应电动势E1增大,AC边在左侧磁场中切割磁感线,产生的感应电动势E2不变,两个电动势串联,总电动势E=E1+E2增大.故A错误.    B、x在0∽a范围,线框穿过左侧磁场时,根据楞次定律,感应电流方向为逆时针,为正值.故B错误.    C、D,在2a∽3a,线框穿过左侧磁场时,根据楞次定律,感应电流方向为逆时针,为正值.故C正确,D错误 故选C
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考点分析:
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如图所示,用一根长为L的细绳一端固定在O点,另一端悬挂质量为m的小球A,为使细绳与竖直方向夹30°角且绷紧,小球A处于静止,则需对小球施加的最小力等于( )
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manfen5.com 满分网如图所示,ABDO是处于竖直平面内的光滑轨道,AB是半径为R=15m的manfen5.com 满分网圆周轨道,半径OA处于水平位置,BDO是直径为15m的半圆轨道,D为BDO轨道的中央.一个小球P从A点的正上方距水平半径OA高H处自由落下,沿竖直平面内的轨 道通过D点时对轨道的压力等于其重力的manfen5.com 满分网倍.取g=10m/s2
(1)H的大小?
(2)试讨论此球能否到达BDO轨道的O点,并说明理由.
(3)小球沿轨道运动后再次落到轨道上的速度的大小是多少?
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半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体,它的自由电子的浓度大大增加,导电能力也大大增加.一块N型半导体的样品的体积为a×b×c,A’、C、A、C’为其四个侧面,如图所示.已知半导体样品单位体积中的电子数为n,电阻率为ρ,电子的电荷量为e.将半导体样品放在匀强磁场中,磁场方向沿Z轴正方向,并沿x方向通有电流I.求:
(1)加在半导体A’A两个侧面的电压是多少?
(2)半导体中的自由电子定向移动的平均速率是多少?
(3)C、C’两个侧面哪个面电势较高?
(4)若测得C、C’两面的电势差为U,匀强磁场的磁感应强度是多少?

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下图中给出t=0时的平面简谐波的图象和x=0处的质元的振动图象,由图象求:
(1)这列波的波长.
(2)这列波在介质中的波速.
(3)平衡位置的坐标在(-20,+20)之间的哪些质元与x=0的质元振动方向总相反.
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(1)用游标卡尺测量金属块的长度,下图是卡尺的读数部分的示意图,由图可知金属块的长度是______ m.
(2)利用插针法可以测量半圆柱形玻璃砖的折射率.实验方法如下:在白纸上做一直线MN,并做出它的一条垂线AB,将半圆柱形玻璃砖(底面的圆心为O)放在白纸上,它的直边与直线MN对齐,在垂线AB上插两个大头针P1和P2,然后在半圆柱形玻璃砖的右侧插上适量的大头针,可以确定光线P1 P2通过半圆柱形玻璃砖后的光路,从而求出玻璃的折射率.实验室中提供的器材除了半圆柱形玻璃砖、木板和大头针外,还有量角器等.
(A)某学生用上述方法测量玻璃的折射率,在他画出的垂线AB上竖直插上了P1、P2两枚大头针,但在半圆柱形玻璃砖右侧的区域内,不管眼睛放在何处,都无法透过半圆柱形玻璃砖同时看到P1、P2的像,原因是______,他应该采取的措施是______
(B)为了确定光线P1P2通过半圆柱形玻璃砖后的光路,在玻璃砖的右侧,最少应插______枚大头针.
(C)请在半圆柱形玻璃砖的右侧估计所插大头针的可能位置,并用“×”表示,做出光路图.为了计算折射率,应该测量的量(在光路图上标出),有:______,计算折射率的公式是______

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