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半导体材料的导电性能受外界条件的影响很大，有的半导体在温度升高时其电阻减小得非常...
半导体材料的导电性能受外界条件的影响很大，有的半导体在温度升高时其电阻减小得非常迅速．利用这种半导体材料可以制成体积很小的热敏电阻．如图所示是火警报警系统的部分电路，其中R
T为热敏电阻，电流表A为值班室的显示器，a、b之间接报警器．当热敏电阻R
T所在处出现火情时．显示器A的电流I、报警器两端的电压U的变化情况是（ ）
A．I变大，U变大
B．I变大，U变小
C．I变小，U变大
D．I变小，U变小
考点分析：
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理想变压器原、副线圈的匝数比为10：1．原线圈输入电压的变化规律如图甲所示，副线圈所接电路如图乙所示，P为滑动变阻器R的滑动片．下列说法正确的是（ ）
A．副线圈输出电压的频率为100Hz
B．副线圈输出电压的有效值为31V
C．P向下移动时，原、副线圈的电流都减小
D．P向下移动时，变压器的输出功率增加
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如图所示，“神舟”飞船升空后，进入近地点为B，远地点为A的椭圆轨道I上飞行．飞行数圈后变轨．在过远地点A的圆轨道Ⅱ上做匀速圆周运动．飞船由椭圆轨道运行变轨到圆形轨道运行后（ ）
A．周期变短．机械能增加
B．周期变短，机械能减小
C．周期变长，机械能增加
D．周期变长，机械能减小
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如图所示的平行板器件中．电场强度E和磁感应强度B相互垂直，具有不同水平速度的带电粒子从P孔射入后发生偏转的情况不同．利用这种装置能把具有某一特定速度的粒子选择出来，所以叫做速度选择器．若正离子（不计重力）以水平速度v=
射入速度选择器，则（ ）
A．正离子从P孔射入后，能沿着图示虚线路径通过速度选择器
B．正离子从Q孔射入后，能沿着图示虚线路径通过速度选择器
C．仅改变离子的电性，负离子从P孔射入后，不能沿图示虚线路径通过速度选择器
D．仅改变离子的电量，正离子从P孔射入后，不能沿图示虚线路径通过速度选择器
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如图所示．边长为L的正方形金属框在外力作用下水平向右运动．穿过宽度为d（d＞L）的有界匀强磁场区域，则线框从磁场左侧进入的过程和从磁场右侧穿出的过程相比较．有（ ）
A．线框中产生的感应电流方向相同
B．线框中产生的感应电流方向相反
C．线框所受的安培力方向相同
D．线框所受的安培力方向相反
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了解物理规律的发现过程，学会像物理学家那样观察和思考，往往比掌握知识本身更重要．以下符合物理学史实的是（ ）
A．牛顿发现了万有引力定律，并通过实验测出了引力常量
B．笛卡尔对牛顿第一定律的建立做出了贡献
C．安培首先发现了通电导线的周围存在磁场
D．法拉第提出了电场的观点．但实际上电场并不存在
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