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一定质量的某种理想气体，温度升高时（ ） A．内能一定增大 B．所有分子的动能均...

一定质量的某种理想气体，温度升高时（ ）
A．内能一定增大
B．所有分子的动能均增大
C．分子热运动的平均动能可能不变
D．分子热运动的平均动能一定减小
略气体分子的自身体积，将分子看成是有质量的几何点；假设分子间没有相互吸引和排斥，分子之间及分子与器壁之间发生的碰撞是完全弹性的，不造成动能损失，这种气体称为理想气体． 【解析】 A、理想气体没有分子力，故没有分子势能；温度是气体分子平均动能额标志，故温度升高，内能一定增加；故A正确； B、温度是气体分子平均动能额标志，故温度升高，分子热运动的平均动能增加，但不是每个分子动能均增加，故B错误； C、温度是气体分子平均动能额标志，故温度升高，分子热运动的平均动能增加，故C错误； D、温度是气体分子平均动能额标志，故温度升高，分子热运动的平均动能增加，故D错误； 故选A．
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考点分析：
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如图甲所示，光滑且足够长的平行金属导轨MN、PQ固定在同一水平面上，两导轨间距为L=1m，定值电阻R1=4Ω，R2=2Ω，导轨上放一质量为m=1kg的金属杆，导轨和金属杆的电阻不计，整个装置处于磁感应强度为B=0.8T的匀强磁场中，磁场的方向垂直导轨平面向下，现用一拉力F沿水平方向拉杆，使金属杆由静止开始运动．图乙所示为通过R1中的电流平方随时间变化的I12-t图线，求：
（1）5s末金属杆的动能；
（2）5s末安培力的功率
（3）5s内拉力F做的功．

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如图（甲）所示，A、B为两块距离很近的平行金属板，板中央有小孔O和O'，一束电子以初动能E=120eV，从小孔O不断地垂直于A板射入A、B之间，在B板右侧，平行金属板M、N关于OO'连线对称放置，在M、N之间形成一个匀强电场，金属板长L=2×10-2m，板间距离d=4×10-3m，偏转电场所加电压为u2=20V，现在A、B两板间加一个如图（乙）所示的变化电压u1，在t=0到t=2s的时间内，A板电势低于B板，则在u1随时间变化的第一个周期内：
（1）在哪段时间内射入A板的电子可从B板上的小孔O′射出？
（2）在哪段时间内射入A板的电子能从偏转电场右侧飞出？
（由于A、B两板距离很近，可认为电子穿过A、B板所用的时间极短，可不计．）
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如图一所示，ABCD是一个T型支架，已知整个支架的质量为m1=5kg，质心在BD上、离B点0.2m的O点处，BD=0.6m，D点通过铰链连接在水平地面上，ABC部分成为一斜面，与水平地面间的夹角为37°，且AB=BC．现有一质量为m2=10kg的钢块以v=4m/s的初速度滑上ABC斜面，钢块与斜面间的动摩擦因数μ=0.25．问：T型支架会不会绕D点转动？
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某同学的解题思路如下：
可以先算出钢块静止在ABC上恰好使支架转动的位置，如图二所示．根据支架受力情况写出此时力矩平衡的式子：MN=Mf+MG，可根据该式子求出该位置到C点的距离S1；
（ MN、Mf、MG分别是钢块对斜面的压力的力矩、摩擦力的力矩以及T型支架自身重力的力矩，其中N=m2gcos37°，f=m2gsin37°．）
然后算出钢块以4m/s的速度在斜面上最多能滑行的距离S2；
比较这两个距离：若S1≥S2，则T型支架不会绕D点转动；若S1＜S2，则会转动．
请判断该同学的解题思路是否正确，若正确，请按照该思路，写出详细的解题过程，求出结果；若不正确，请给出你认为的正确解法．
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如图甲所示，竖直放置的汽缸内壁光滑，活塞厚度与质量均不计，在B处设有限制装置，使活塞只能在B以上运动，B以下汽缸的容积为V，A、B之间的容积为0.2V．开始时活塞在A处，温度为87℃，大气压强为p，现缓慢降低汽缸内气体的温度，直至活塞移动到A、B的正中间，然后保持温度不变，在活塞上缓慢加砂，直至活塞刚好移动到B，然后再缓慢降低汽缸内气体的温度，直到-3℃．求：
（1）活塞刚到达B处时的温度TB；
（2）缸内气体最后的压强p；
（3）在图乙中画出整个过程的p-V图线．

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某物体在地面上所受重力为G，将它放在卫星中，在卫星随火箭向上匀加速度升空的过程中，当卫星离地面高为H时支持该物体的支持物对其弹力为N，设地球半径为R，第一宇宙速度为v，求火箭上升的加速度．
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