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如图所示,有两个带正电的粒子P和Q同时从匀强磁场的边界上的M点分别以30°和60...

如图所示,有两个带正电的粒子P和Q同时从匀强磁场的边界上的M点分别以30°和60°(与边界的交角)射入磁场,又同时从磁场边界上的同一点N飞出,设边界上方的磁场范围足够大,不计粒子所受的重力影响,则两粒子在磁场中的半径之比rp:rQ=    ,假设P粒子是α粒子(manfen5.com 满分网),则Q粒子可能是    ,理由是   
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带有正电荷的A粒子和B粒子同时从O点不同角度射入匀强磁场后,从Q点飞出.由粒子的电性可确定洛伦兹力方向,根据处理规律:定圆心、画圆弧、求半径.并根据几何关系可确定粒子的半径关系,根据运动时间相等及周期公式求解荷质比,根据半径公式求解速度比. 【解析】 (1)粒子运动的轨迹如图, 粒子P的轨迹是以O为圆心的圆,∠MON=180°-2(90°-30°)=60°所以△MON是等边三角形,; 粒子Q的轨迹是以O′为圆心的圆,∠MO′N=180°-2(90°-60°)=120°,所以; 所以: (2)带电粒子在磁场中做匀速圆周运动,洛伦兹力提供向心力,即:,又:.所以得: 粒子在磁场中运动的时间与偏转角之间的关系: 两种粒子在磁场中运动的时间相等,所以: 整理得:,所以P粒子的质量数与电荷数之比为1:1,P粒子可能是质子. 故答案为:(1) (2)质子,质量数与电荷数之比为1:1
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考点分析:
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(1)一质点作简谐运动的位移-时间图象如图一所示,则位移随时间变化的关系式为   
(2)一列横波在某一时刻的波形如图二所示,已知此时刻P质点的振动方向为y轴正向,则波的传播方向是    (填“x轴正向”或“x轴负向”),若波速为24m/s,在传播过程中,从该时刻起,质点P在1s内,经过的路程为   
(3)以下关于波的几种说法中正确的是   
A.波遇到障碍物时,一定会发生明显的衍射现象
B.两列水波发生干涉时,如果两列波的波峰在P点相遇,质点P的位移始终最大
C.水波从深水区传到浅水区后传播方向朝法线偏折,说明浅水区水波传播速度较大
D.“彩超”利用反射波的频率变化,测出血流的速度,这是利用了多普勒效应.
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某同学在“探究电磁感应的产生条件”的实验中,设计了如图所示的装置.线圈A通过电流表甲、高阻值的电阻R‘、变阻器R和开关连接到干电池上,线圈B的两端接到另一个电流表乙上,两个电流表相同,零刻度居中.闭合开关后,当滑动变阻器R的滑片P不动时,甲、乙两个电流表指针的不同的位置如图所示.
(1)当滑片P较快地向左滑动时,甲表指针的偏转方向是    ,乙表指针的偏转方向是    .(填“向右偏”、“向左偏”或“不偏转”)
(2)断开开关,待电路稳定后再迅速闭合开关,乙表的偏转情况是    (填“向左偏”、“向右偏”或“不偏转”)
(3)从上述实验可以初步得出结论:   
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在“用单摆测定重力加速度”的实验中
(1)以下说法正确的是   
A.测量摆长时应将摆球取下后再测量
B.摆球应选用半径约2cm的木球
C.实验中应控制摆角不大于10°是为了减小系统误差
D.实验中只要测量一次全振动的时间即可知道单摆振动的周期
(2)测周期时,当摆球经过    位置时开始计时并计数“0”,测出经过该位置100次的时间如图中秒表所示,则周期为    .(结果保留3位有效数字)
(3)一组同学在做“用单摆测定重力加速度”的实验,用正确的操作方法,测定了6组摆长L和周期T的对应值.为求出当地的重力加速度,同学们提出了4种不同方法.你认为以下4种方法中,不合理的有   
A.从测定的6组数据中任意选取1组,用公式g=4π2L/T 2求出g作为测量值
B.求出L的平均值manfen5.com 满分网和T的平均值manfen5.com 满分网,用公式g=4π2manfen5.com 满分网/manfen5.com 满分网2求出g作为测量值
C.用6组L、T值,用g=4π2L/T2求出6个g,再求这6个g的平均值作为测量值
D.在坐标纸上作出T 2-L图象,从图象中计算出图线斜率K,根据g=4π2/K求出g.
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如图所示,穿过圆形线框的磁场垂直纸面向外,且均匀增强,线框通过一个理想二极管连接一个平行板电容器C,电容器极板之间有一个质量为m、带电量为q的带电微粒恰能处于静止状态,则下列说法中正确的是( )
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A.若用绝缘柄把电容器两极板的距离稍微拉大一点,带电微粒向下加速运动
B.若用绝缘柄把电容器两极板的距离稍微拉大一点,带电微粒仍然处于静止状态
C.若用绝缘柄把电容器两极板稍微错开一点,带电微粒向上加速运动
D.若用绝缘柄把电容器两极板稍微错开一点,带电微粒仍然处于静止状态
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半导体靠自由电子(带负电)和空穴(相当于带正电)导电,分为p型和n型两种.p型半导体中空穴为多数载流子;n型半导体中自由电子为多数载流子.现在一个学生研究小组用以下实验可以判定一块半导体材料是p型还是n型:将材料放在匀强磁场中,通以图示方向的电流I,用电压表比较上表面M和下表面N的电势高低,则( )
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A.若M电势高,就是p型半导体
B.若M电势高,就是n型半导体
C.若N电势高,就是p型半导体
D.若N电势高,就是n型半导体
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