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(16分)如图所示,有一对平行金属板,两板相距为0.05m.电压为10V;两板之...

16分)如图所示,有一对平行金属板,两板相距为0.05m.电压为10V;两板之间有匀强磁场,磁感应强度大小为B0=0.1T,方向与金属板面平行并垂直于纸面向里.图中右边有一半径R0.1m、圆心为O的圆形区域内也存在匀强磁场,磁感应强度大小为满分5 manfen5.com,方向垂直于纸面向里.一正离子沿平行于金属板面,从A点垂直于磁场的方向射入平行金属板之间,沿直线射出平行金属板之间的区域,并沿直径CD方向射入圆形磁场区域,最后从圆形区域边界上的F点射出.已知速度的偏向角满分5 manfen5.com,不计离子重力.求:

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1)离子速度v的大小;

2)离子的比荷q/m

3)离子在圆形磁场区域中运动时间t

 

(1) (2) (3) 【解析】 试题分析:(1)离子在平行金属板之间做匀速直线运动,洛仑兹力与电场力相等,即 (2分) (2分) 解得 (1分) (2)在圆形磁场区域,离子做匀速圆周运动,由洛仑兹力公式和牛顿第二定律有 (2分) 由几何关系有 (2分) 离子的比荷 (2分) (3)弧CF对应圆心角为,离子在圆形磁场区域中运动时间, (2分) 又周期 (1分) (2分) 考点:本题考查带电粒子在电磁场中的运动  
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考点分析:
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15分)如图所示,一正方形线圈从某一高度自由下落,恰好匀速进入其下方的匀强磁场区域.已知正方形线圈质量为m,边长为L,电阻为R,匀强磁场的磁感应强度为B,高度为2L,求:

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1)线圈进入磁场时回路产生的感应电流I1的大小和方向;

2)线圈离开磁场过程中通过横截面的电荷量q

3)线圈下边缘刚离开磁场时线圈的速度v的大小.

 

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15分)如图所示,在水平面内固定一光滑“U”型导轨,导轨间距L=1m,整个装置处在竖直向下的匀强磁场中,磁感强度B=0.5T.一导体棒以v0=2m/s的速度向右切割匀强磁场,导体棒在回路中的电阻r=0.3Ω,定值电阻R=0.2Ω,其余电阻忽略不计.求:

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1)回路中产生的感应电动势;

2R上消耗的电功率;

3)若在导体棒上施加一外力F,使导体棒保持匀速直线运动,求力F的大小和方向.

 

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14分)影响材料电阻率的因素很多,一般金属材料的电阻率随温度的升高而增大,半导体材料的电阻率则与之相反,随温度的升高而减小.某学校研究小组需要研究某种材料的导电规律,他们用这种材料制作成电阻较小的元件P,测量元件P中的电流随两端电压从零逐渐增大过程中的变化规律.

1)图a是他们按设计好的电路连接的部分实物图,请添加两根导线,使电路完整.

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2)改变滑动变阻器的阻值,记录两电表的读数.根据表中数据,在图b中画出元件PI-U图象,并判断元件P是金属材料还是半导体材料?答:             

U/V

0

0.40

0.60

0.80

1.00

1.20

1.50

I/A

0

0.04

0.09

0.16

0.25

0.36

0.56

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3)若可供选择的滑动变阻器有R1(最大阻值,额定电流为0.3A)、R2(最大阻值10Ω,额定电流为1A),则本实验应该选用滑动变阻器          .(填器材前的编号)

4)把元件P接入如图c所示的电路中,已知定值电阻R阻值为,电电动势为2V,内阻不计,则该元件实际消耗的电功率为          W

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12分)

1)下图为一正在测量电阻中的多用电表表盘和用测量圆柱体直径d的螺旋测微器,如果多用表选用×100挡,则其阻值为          Ω、圆柱体直径为          mm

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2)如图a所示,是用伏安法测电电动势和内阻的实验电路图,为防止短路,接入一保护电阻R0,其阻值为.通过改变滑动变阻器,得到几组电表的实验数据,并作出如图b所示的U-I图象:

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根据U-I图象,可知电电动势E=          V,内阻r =          Ω

本实验测出的电源的电动势与真实值相比是       .(填偏大偏小不变

 

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如图所示的电路中,三个灯泡L1L2L3的电阻关系为R1=R2=R3,电感L的电阻可忽略,D为理想二极管(正向导通时电阻忽略不计).下列说法中正确的是(   )

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A.开关S闭合瞬间,L1L2L3均立即变亮,然后逐渐变暗

B.开关S闭合瞬间,L1逐渐变亮,L2L3均立即变亮,后亮度稍有下降,稳定后L2L3亮度相同

C.开关S从闭合状态突然断开时,L2立即熄灭,L1L3均逐渐变暗

D.开关S从闭合状态突然断开时,L1L2L3均先变亮,然后逐渐变暗

 

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