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如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场。一个正方形线框...

如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场。一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R。开始时, 线框的下边缘到磁场上边缘的距离为h。将线框由静止释放,其下边缘刚进入磁场时,线框的加速度恰为零。则线框进入磁场的过程和从磁场下边穿出磁场的过程相比较,有(  )

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A.产生的感应电流的方向相同

B.所受的安培力的方向相反

C.进入磁场的过程中产生的热量小于穿出磁场的过程中产生的热量

D.进入磁场过程所用的时间大于穿出磁场过程中所用的时间

 

CD 【解析】 试题分析:线圈进入磁场的过程中,导体切割磁感线,根据右手定则课判断,感应电流的方向为逆时针方向,同理,可判断离开磁场的过程,感应电流方向为顺时针方向,所以A错误;由楞次定律“来拒去留”可知线框受安培力方向始终向上,所以B错误;由于d>l,可知线框完全进入磁场后有一段加速下落过程,所以穿出磁场过程的平均速度大于进入磁场过程的平均速度,位移相同,故进入磁场过程所用的时间大于穿出磁场过程中所用的时间,所以D正确;由安培力穿出时安培力的平均值较大,位移相同,所以克服安培力做功较大,产生热量多,即进入磁场的过程中产生的热量小于穿出磁场的过程中产生的热量,所以C正确。 考点:本题考查电磁感应、安培力做功  
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考点分析:
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A.电容器电容值增大

B.电容器带电荷量减小

C.电容器两极板间的场强增大

D.电阻R上电流方向自左向右

 

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A. I变大,U变小

B. I变大,U变大

C. I变小,U变大

D. I变小,U变小

 

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A.15J             B.150J              C.1500J             D.15000J

 

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A.10m/s B.15m/s C. 满分5 manfen5.comm/s    D.20m/s

 

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