安培提出分子电流假说，他的依据是（ ）
A．安培通过精密仪器观察到分子电流
B．安培根据环形电流的磁性与磁铁相似，提出分子电流的假设
C．安培根据原子结构理论，进行严格推理得出的
D．安培凭空想象出来的
下列说法，正确的是（ ）
A．电阻率是表征材料导电性能好坏的物理量，电阻率越大，其导电性能越好
B．各种材料的电阻率都与温度有关，金属的电阻率随温度的升高而减小
C．电动势在数值上等于电源将单位正电荷从负极移送到正极时，非静电力所做的功
D．电源的电动势与外电路有关，外电路电阻越大，电动势就越大
下列关于磁感应强度大小的说法中正确的是（ ）
A．通电导线受磁场力大的地方，磁感应强度一定大
B．一小段通电导线放在某处不受磁场力作用，则该处的磁感应强度一定为零
C．由B=F/IL知，通电直导线垂直于磁场放置，B与通电直导线所受安培力成正比，与I、L的乘积成反比
D．磁感应强度的大小和方向跟放在磁场中的通电导线受力的大小无关
如图所示，在xoy平面内，第三象限内的直线OM是电场与磁场的边界，OM与负x轴成45°角。在
且OM的左侧空间存在着沿负
方向的匀强电场E，场强大小为32N/C，在
且OM的右侧空间存在着垂直纸面向里的匀强磁场B，磁感应强度大小为0.1T。一不计重力的带负电的粒子，从坐标原点O沿y轴负方向以
m/s的初速度进入磁场，已知粒子的带电量为
，质量为
，求：
(1)带电粒子第一次经过磁场边界的位置坐标；
(2)带电粒子在磁场区域运动的总时间；(结果保留三位有效数字)
(3)带电粒子最终离开电、磁场区域进入第一象限时的位置坐标。
如图所示，质量为m=1g、电量为q=210-6C的带电微粒从偏转极板A、B中间的位置以v0=10m/s的初速度垂直电场方向进入长为L=20cm、距离为d=10cm的偏转电场，出电场后落在距偏转电场x=40cm的挡板上，微粒的落点P离开初速度方向延长线的距离为y2=20cm，不考虑重力的影响。求：
（1）加在A、B两板上的偏转电压UAB；
（2）粒子击中挡板时的动能Ek；
（3）改变偏转电压UAB，则当UAB为多少时，微粒落点P离开初速度延长线的距离最大？最大距离是多少？
如图所示，电灯L标有“4V1W”字样。滑动变阻器R的总阻值为50Ω，当滑片P滑至某位置时，L恰好正常发光，此时电流表示数为0.45A，由于外电路发生故障，电灯L突然熄灭，此时电流表示数变为0.5A，电压表示数变为10V，若导线完好，电路中各处接触良好，问：
⑴判断电路发生的是什么故障？(无需说明理由)
⑵发生故障前，滑动变阻器接入电路的阻值为多少？
⑶电源的电动势和内电阻分别为多大？
