5个元电荷的电荷量是 C，16C电荷量等于 个元电荷的电荷量．
回旋加速器的核心部分是两个半径为R的D型金属扁盒，如图，盒正中央开有一条窄缝，在两个D型盒之间加交变电压，于是在缝隙中形成交变电场，由于屏蔽作用，在D型盒内部电场很弱，D型盒装在真空容器中，整个装置放在巨大电磁铁的两极之间，磁场方向垂直于D型盒的底面，只要在缝隙中的交变电场的频率不变，便可保证粒子每次通过缝隙时总被加速，粒子的轨道半径不断增大，并逐渐靠近D型盒边缘，加速到最大能量E后，再用特殊的装置将它引出。在D型盒上半面中心出口A处有一正离子源，正离子所带电荷量为q、质量为m，加速时电极间电压大小恒为U。（加速时的加速时间很短，可忽略；正离子从离子源出发时初速为零）。则下列说法正确的是( )
A．增大交变电压U，则正离子在加速器中运行时间将变短
B．增大交变电压U，则正离子在加速器中运行时间将不变
C．正离子第n次穿过窄缝前后的速率之比为
D．回旋加速器所加交变电压的频率为
下列说法正确的是( )
A.电场中某点的电场强度在数值上等于单位正电荷在该点受到的电场力大小
B.电场线并不真实存在，它其实是电荷只在电场力作用下的运动轨迹
C.电荷在某点的电势能，等于把它从该点移到零电势位置电场力做的功
D.以无穷远处为零电势，负检验电荷在正点电荷附近的电势能总是负的
由欧姆定律I＝
导出U＝IR和R＝
，下列叙述中正确的是( )
A.导体的电阻跟导体两端的电压成正比，跟导体中的电流成反比
B.导体的电阻由导体本身的物理条件决定，跟导体两端的电压及流过导体的电流的大小无关
C.对确定的导体，其两端电压和流过它的电流的比值就是它的电阻值
D.一定的电流流过导体，电阻越大，其电压就越大
以下对“静电场”一章中几个公式的理解，错误的是：
A.公式C=Q/U指出，电容器的电容随电容器所带电荷量Q的增加而增加
B.由E=U/d可知，同一个电容器两板电势差U越大时板内电场强度E越大
C.在公式F=kq1q2/r2中，kq2/r2是q1所在位置的电场强度的大小
D.公式WAB=qUAB中，电荷q沿不同路径从A点移动到B点，静电力做功不同
如图所示的电路中，当半导体材料做成的热敏电阻浸泡到热水中时，电流表示数增大，则说明
A．热敏电阻在温度越高时，电阻越大
B．热敏电阻在温度越高时，电阻越小
C．半导体材料温度升高时，导电性能变差
D．半导体材料温度升高时，导电性能变好
