下列说法正确的是_________（填入正确选项前的字母。选对一个给2分，选对两个给4分，选对三个给5分，每选错一个扣3分，最低得分为0分）。
A．对于受迫振动，驱动力频率越大，受迫振动的振幅一定越大
B．一切波都能发生衍射，衍射是波特有的现象
C．波源与观察者互相靠近或者互相远离时，接收到的频率会发生变化
D．紫外线具有较高的能量，许多物质在紫外线的照射下会发出荧光
E．光速在任何条件下都是3×108m/s
如图所示，用销钉固定的导热活塞把水平放置的导热气缸分隔成容积相等的两部分，分别封闭着A、B两部分理想气体。A部分气体压强为pA0＝2.5×105Pa，B部分气体压强为pB0＝1.5×105Pa。现拔去销钉，待活塞重新稳定后，（外界温度保持不变，活塞与气缸间摩擦可忽略不计，整个过程无漏气发生）
①求此时A部分气体体积与原来体积之比；
②判断此过程中A部分气体是吸热还是放热，并简述理由。
下列叙述中，正确的是___________（填入正确选项前的字母。选对一个给2分，选对两个给4分，选对三个给5分，每选错一个扣3分，最低得分为0分）。
A．同一温度下，气体分子速率呈现出“中间多，两头少”的分布规律
B．布朗运动是悬浮在液体中固体颗粒的分子无规则运动的反映
C．第二类永动机是不可能制造出来的，尽管它不违反热力学第一定律，但它违法热力学第二定律
D．物体熔化时吸热，分子平均动能不一定增加
E．只知道气体的摩尔体积和阿伏伽德罗常数就可以算出气体分子的体积
空间三维直角坐标系o-xyz如图所示（重力沿
轴负方向），同时存在与xoy平面平行的匀强电场和匀强磁场，它们的方向与x轴正方向的夹角均为
。（已知重力加速度为g，sin53°＝0.8，cos53°＝0.6）
（1）若一电荷量为+q、质量为m的带电质点沿平行于z轴正方向的速度v0做匀速直线运动，求电场强度E和磁感应强度B的大小；
（2）若一电荷量为
、质量为m的带电质点沿平行于z轴正方向以速度v0通过y轴上的点P（0，h，0）时，调整电场使其方向沿x轴负方向、大小为E0。适当调整磁场，则能使带电质点通过坐标Q（h，0，0.5h）点，问通过Q点时其速度大小；
（3）若一电荷量为、质量为m的带电质点沿平行于z轴正方向以速度v0通过y轴上的点P（0，0.6h，0）时，改变电场强度大小和方向，同时改变磁感应强度的大小，但不改变其方向，带电质点做匀速圆周运动能经过x轴上的某点M，问电场强度
和磁感应强度
的大小满足什么条件?并求出带电质点经过x轴M点的时间。
某一长直的赛道上，有一辆F1赛车前方200m处有一安全车正以10m/s的速度匀速前进，这时赛车从静止出发以2m/s2的加速度追赶。求：
（1）赛车出发经多长时间追上安全车。
（2）当赛车刚追上安全车时，赛车手立即刹车，使赛车以4m/s２的加速度做匀减速直线运动，再经过多长时间两车第二次相遇。
霍尔效应是电磁现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展。如图甲所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流强度为I的电流，同时外加与薄片垂直的磁感应强度为B的磁场，则在M、N间出现大小为UH的电压，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足
，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数。某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。
（1）若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图甲所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“+”接线柱与_____（选填“M”或“N”）端通过导线相连。
（2）该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图乙所示的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）。为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向_________（选填“a”或“b”），S2掷向_______（选填“c”或“d”）。
（3）已知薄片厚度d＝0.40mm，该同学保持磁感应强度B＝0.10T不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如下表所示。
I（×10-3A） | 3.0 | 6.0 | 9.0 | 12.0 | 15.0 | 18.0 |
UH（×10-3V） | 1.1 | 1.9 | 3.4 | 4.5 | 6.2 | 6.8 |
根据表中数据在给定区域内（见答题卡）画出UH-I图线，请利用图线求出该材料的霍尔系数为___________×10-3V·m·A-1·T-1（保留2位有效数字）。
