半导体内导电的粒子—“转流子”有两种:自由电子和空穴(空穴可视为能自由移动带正电的粒子),以自由电子导电为主的半导体叫型半导体,以空穴导电为主的半导体叫型半导体.图为检验半导体材料的类型和对材料能进行测试的原理图,图中一块长为、宽为、厚为的半导体样品板放在沿轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为.当有大小为、沿轴正方向的恒定电流通过样品板时,会在与轴垂直的两个侧面之间的产生霍尔电热差,霍尔电势差大小满足关系,其中为材料的霍尔系数.若每个载流子所带电量的绝对值为,下列说法中正确的是:( )
A. 如果上表面电势高,则该半导体为型半导体
B. 如果上表面电势高,则该半导体为型半导体
C. 霍尔系数较大的材料,其内部单位体积内的载流子数目较多
D. 样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为
如图所示,在光滑绝缘水平面上,两个带等量正电的点电荷分别固定在、两点, 为连线的中点, 为的垂直平分线.在之间的点由静止释放一个带负电的小球(可视为质点),若不计空气阻力,则:( )
A. 小球从点沿直线向端运动,先做匀加速运动,后做匀减速运动
B. 小球从点运动至距离该点最远位置的过程中,其所经过各点的电势先降低后升高
C. 小球从点运动至距离该点最远位置的过程中,其电势能先减小后增大
D. 若在小球运动过程中,两个点电荷所带电荷量同时等量地缓慢增大,则小球往复运动过程中的振幅将不断增大
如图所示,水平放置的两个正对的带电金属板MN、PQ间存在相互垂直的匀强电场和匀强磁场,电场强度为E,磁感应强度为B。在a点由静止释放一带正电的微粒,释放后微粒沿曲线acb运动,到达b点时速度为零,c点是曲线上离MN板最远的点。已知微粒的质量为m,电荷量为q,重力加速度为g,不计微粒所受空气阻力,则下列说法中正确的是
A.微粒在a点时加速度方向竖直向下
B.微粒在c点时电势能最大
C.微粒运动过程中的最大速率为
D.微粒到达b点后将沿原路径返回a点
如图所示,通电直导线与矩形金属线框位于同一平面内,导线中的电流方向如图所示.若导线中的电流增大,下列说法正确的是:( )
A. 穿过线框的磁通量始终为零 B. 边受到的安培力方向向右
C. 边感应电流的方向为 D. 金属线框受到的安培力方向向右
如图所示为洛伦兹力演示仪的结构示意图.由电子枪产生电子束,玻璃泡内充有稀薄的气体,在电子束通过时能够显示电子的径迹.前后两个励磁线圈之间产生匀强磁场,磁场方向与两个线圈中心的连线平行.电子速度的大小和磁感强度可以分别通过电子枪的加还电压和励磁线圈的电流来调节.适当调节和,玻璃光中就会出现电子束的圆形径迹.下列调节方式中,一定能让圆形径迹半径增大的是:( )
A. 同时增大和 B. 同时减小和
C. 增大,减小 D. 减小,增大
如图所示,在真空中有一对带电的平行金属板水平放置.一带电粒子沿平行于板面的方向,从左侧两极板中央射入电场中,恰能从右侧极板边缘处离开电场.不计粒子重力.若可以改变某个量,下列哪种变化,仍能确保粒子一定飞出电场:( )
A. 只增大粒子的带电量 B. 只增大电场强度
C. 只减小粒子的比荷 D. 只减小粒子的入射速度