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下列说法正确的是_____。(填写正确答案标号,选对1个得2分,选对2个得4分,...

下列说法正确的是_____填写正确答案标号,选对1个得2分,选对2个得4分,选对3个得5分。每选错1个扣3分,最低得分为0分

A.一定质量的气体,在体积不变时,分子每秒与器壁平均碰撞次数随着温度降低而减小

B.晶体熔化时吸收热量,分子平均动能一定增大

C.空调既能制热又能制冷,说明在不自发地条件下热传递方向性可以逆向

D.外界对气体做功时,其内能一定会增大

E.生产半导体器件时,需要在纯净的半导体材料中掺人其他元素,可以在高温条件下利用分子的扩散来完成

 

ACE 【解析】 试题分析:一定质量的气体,在体积不变时,表示分子个数不变,温度降低则气体的平均动能减少,气体的分子的平均速率减小,故气体分子每秒与器壁平均碰撞次数减小,故A正确;晶体具有特定的熔点,晶体熔化时吸收热量,但温度不变,故分子平均动能一定不变,故B错误;一切与热量有关的现象都具有方向性,在外界条件帮助下可以进行逆向传递,空调既能制热又能制冷,说明在不自发地条件下热传递方向性可以逆向,故C正确;外界对气体做功时,在气体不向外放热的时,气体的内能增大,若气体同时放热,气体的内能可能不变,故D错误;生产半导体器件时,需要在纯净的半导体材料中掺人其他元素,可以在高温条件下利用分子的扩散来完成,故E正确。
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考点分析:
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如图所示,光滑的平行水平金属导轨MNPQ相距L,在M点和P点间连接一个阻值为R的电阻,在两导轨间cdfe矩形区域内有垂直导轨平面竖直向上、宽为d的匀强磁场,磁感应强度为B。一质量为m、电阻为r、长度也刚好为L的导体棒ab垂直搁在导轨上,与磁场左边界相距。现用一个水平向右的力F拉棒ab,使它由静止开始运动,棒ab离开磁场前已做匀速直线运动,棒ab与导轨始终保持良好接触,导轨电阻不计,Fab与初始位置的距离x变化的情况如图, 已知。求:

1)棒ab离开磁场右边界时的速度;

2)棒ab通过磁场区域的过程中整个回路所消耗的电能;

3满足什么条件时,棒ab进入磁场后一直做匀速运动。

 

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如图所示,高为0.45m的光滑水平桌面上的物体,以水平速度向右运动,与静止在桌面右端的另一物体相撞,若碰撞后仍向右运动,速度变为,求:(两物体可视为质点不计空气阻力

(1)落地时距桌边缘A点的水平距离;

(2)落地时动能的大小;

(3)在平抛过程中所受的冲量。

 

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某同学要测量一分布均匀材料制成的圆柱体的电阻率。步骤如下:

1)用游标为20分度的卡尺测量其长度如图,由图可知其长度为___________mm

 

2)用螺旋测微器测量其直径如右上图,由图可知其直径为_____________mm

3)用多用电表的电阻“×10”档,按正确的操作步骤测得圆柱体的电阻阻值,表盘的示数如图,则该电阻的阻值约为_____________

4)为了更加准确地测出该圆柱体的电阻,除了导线和开关外,有以下一些器材可供选择:

A.电源E(电动势6V、内阻可忽略不计)

B.电流表(量程0—0.6A,内阻约0.12

C.电流表(量程0—20mA,内阻约为

D.电压表(量程0—3V,内阻约

E.电压表(量程0—15V,内阻约

F.待测电阻

G.滑动变阻器0—,允许最大电流

H.滑动变阻器0—,允许最大电流

电流表选___________电压表选__________滑动变阻器选_____________(选填对应的序号)在答题卡上的方程中画出实验电路并标出所选实验器材的代号______

 

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如图是用打点计时器(频率为50Hz)测定匀变速直线运动的加速度时得到的纸带,从O点开始每隔4个点再取一个计数点,则相邻的两个计数点的时间间隔为_________s,测得OA=6.80cmCD=3.2cmDE=2.00cm,则物体运动加速度大小为____________D点的速度大小为____________m/s。(结果保留两位有效数字)

 

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图甲是某质点的位移—时间图象,图乙是另一质点的速度—时间图象,关于这两个图象,下列说法正确的是(  )

A. 由图甲可知,质点做曲线运动,且速度逐渐增大

B. 由图甲可知,质点在前10 s内的平均速度的大小为4 m/s

C. 由图乙可知,质点在第4 s内加速度的方向与物体运动的方向相同

D. 由图乙可知,质点在运动过程中,加速度的最大值为7.5 m/s2

 

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试题属性

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