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下列求解电热的公式中,对所有电路均适用的是( ) A. Q=UIt B. Q=I...

下列求解电热的公式中,对所有电路均适用的是(     )

A. Q=UIt    B. Q=I2Rt    C.     D. W=Pt

 

B 【解析】A、对于纯电阻电路,可以用Q=UIt求解电热;对于非纯电阻电路,由于U>IR,则UIt>Q.故A错误; B、Q=I2Rt是焦耳定律,适用于任何电路求解电热,故B正确; C、对于纯电阻电路,可以用t求解电热,对于非纯电阻电路,由于欧姆定律不成立,式子Q=t不成立,故C错误; D、若P是热功率,W=Pt适用于任何电路求解电热,故D错误。 故选:B。  
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考点分析:
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通过电阻R的电流强度为I时,在时间t内产生的热量为Q,若电阻为2R,电流强度为I/2时,则在时间t内产生的热量为(     )

A. 4Q    B. 2Q    C. Q/2    D. Q/4

 

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如图所示,在两端封闭粗细均匀的竖直长管道内,用一可自由移动的活塞A封闭体积相等的两部分气体。开始时管道内气体温度都为,下部分气体的压强,活塞质量,管道的内径横截面积。现保持管道下部分气体温度不变,上部分气体温度缓慢降至T,最终管道内上部分气体体积变为原来的四分之三,若不计活塞与管道壁间的摩擦,,求此时

 

①下部分气体的压强p

②上部分气体的温度T。

 

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下列说法正确的是_____填写正确答案标号,选对1个得2分,选对2个得4分,选对3个得5分。每选错1个扣3分,最低得分为0分

A.一定质量的气体,在体积不变时,分子每秒与器壁平均碰撞次数随着温度降低而减小

B.晶体熔化时吸收热量,分子平均动能一定增大

C.空调既能制热又能制冷,说明在不自发地条件下热传递方向性可以逆向

D.外界对气体做功时,其内能一定会增大

E.生产半导体器件时,需要在纯净的半导体材料中掺人其他元素,可以在高温条件下利用分子的扩散来完成

 

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如图所示,光滑的平行水平金属导轨MNPQ相距L,在M点和P点间连接一个阻值为R的电阻,在两导轨间cdfe矩形区域内有垂直导轨平面竖直向上、宽为d的匀强磁场,磁感应强度为B。一质量为m、电阻为r、长度也刚好为L的导体棒ab垂直搁在导轨上,与磁场左边界相距。现用一个水平向右的力F拉棒ab,使它由静止开始运动,棒ab离开磁场前已做匀速直线运动,棒ab与导轨始终保持良好接触,导轨电阻不计,Fab与初始位置的距离x变化的情况如图, 已知。求:

1)棒ab离开磁场右边界时的速度;

2)棒ab通过磁场区域的过程中整个回路所消耗的电能;

3满足什么条件时,棒ab进入磁场后一直做匀速运动。

 

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如图所示,高为0.45m的光滑水平桌面上的物体,以水平速度向右运动,与静止在桌面右端的另一物体相撞,若碰撞后仍向右运动,速度变为,求:(两物体可视为质点不计空气阻力

(1)落地时距桌边缘A点的水平距离;

(2)落地时动能的大小;

(3)在平抛过程中所受的冲量。

 

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