如图所示,在半径为R的圆形区域内(圆心为O)有匀强磁场,磁感应强度为B,方向垂直于圆平面向里(未画出).一群具有相同比荷的负离子以相同的速率由P点在纸平面内向不同方向射入磁场中,发生偏转后又飞出磁场,若离子在磁场中运动的轨道半径大于R,一无限大挡板MN在圆的正下方且与直径PQ平行,则下列说法中正确的是(不计离子的重力)( )
A. 所有离子飞出磁场时的动能一定相等
B. 沿PQ方向射入的离子飞出时偏转角最大
C. 从Q点飞出的离子在磁场中运动的时间最长
D. 若离子入射速度满足,入射的离子出磁场后一定垂直打在挡板MN上
现代广泛应用的半导体材料分为两大类:一类是N型半导体,其载流子是电子,另一类是P型半导体,其载流子称为“空穴”,相当于带正电的粒子.如果把某种导电材料制成长方体放在匀强磁场中,磁场方向如图所示,且与长方体的前后侧面垂直,当长方体中通有向右的电流I时,测得长方体的上下表面的电势分别为φ上和φ下,则( )
A. 长方体如果是N型半导体,必有φ上<φ下
B. 长方体如果是P型半导体,必有φ上<φ下
C. 长方体如果是P型半导体,必有φ上>φ下
D. 长方体如果是金属导体,必有φ上>φ下
两个等量正点电荷固定于光滑水平面上,其连线中垂线上有A、B、C三点,如图甲所示.一个电荷量为2 C、质量为1 kg的小物块从C点由静止释放,其运动的v-t图像如图乙所示,其中B点处为整条图线切线斜率最大的位置(图中标出了该切线).则下列说法正确的是( )
A. 从C到A电势逐渐升高
B. 由C到A的过程中物块的电势能先减小后变大
C. B点为中垂线上电场强度最大的点,场强E=6V/m
D. A、B两点电势差UBA=5 V
带正电的微粒放在电场中,场强的大小和方向随时间变化的规律如图所示。带电微粒只在电场力的作用下由静止开始运动,则下列说法中 正确的是 ( )
A. 微粒做往复运动
B. 微粒将沿着一条直线做匀加速运动
C. 微粒在0~1 s内的加速度与1~2 s内的加速度相同
D. 微粒在第1 s内的位移与第3 s内的位移相同
在如图所示的电路中,电源内阻不计,在调节可变电阻R的阻值过程中,发现理想电压表的示数减小,则正确的是 ( )
A. R的阻值变大
B. 路端电压不变
C. 干路电流减小
D. 路端电压和干路电流的比值不变
在等边三角形的三个顶点a、b、c处,各有一条长直导线垂直穿过纸面,导线中通有大小相等的恒定电流,方向如图。过c点的导线所受安培力的方向( )
A. 与ab边垂直,指向左边
B. 与ab边平行,竖直向上
C. 与ab边平行,竖直向下
D. 与ab边垂直,指向右边