如图甲所示，不计电表对电路的影响，改变滑动变阻器的滑片位置．测得电压表V1 和V2随电流表A的示数变化规律如图乙中a、b所示，下列判断正确的是( )
A. 图线a的延长线与纵轴交点的坐标值等于电源电动势
B. 图线b斜率的绝对值等于电源的内阻
C. 图线a、b交点的横、纵坐标之积等于此状态下电源的输出功率
D. 图线a、b交点的横、纵坐标之积等于此状态下电阻Ro消耗的功率
如图所示，在半径为R的圆形区域内(圆心为O)有匀强磁场，磁感应强度为B，方向垂直于圆平面向里(未画出)．一群具有相同比荷的负离子以相同的速率由P点在纸平面内向不同方向射入磁场中，发生偏转后又飞出磁场，若离子在磁场中运动的轨道半径大于R，一无限大挡板MN在圆的正下方且与直径PQ平行，则下列说法中正确的是(不计离子的重力)( )
A. 所有离子飞出磁场时的动能一定相等
B. 沿PQ方向射入的离子飞出时偏转角最大
C. 从Q点飞出的离子在磁场中运动的时间最长
D. 若离子入射速度满足
，入射的离子出磁场后一定垂直打在挡板MN上
现代广泛应用的半导体材料分为两大类：一类是N型半导体，其载流子是电子，另一类是P型半导体，其载流子称为“空穴”，相当于带正电的粒子．如果把某种导电材料制成长方体放在匀强磁场中，磁场方向如图所示，且与长方体的前后侧面垂直，当长方体中通有向右的电流I时，测得长方体的上下表面的电势分别为φ上和φ下，则( )
A. 长方体如果是N型半导体，必有φ上<φ下
B. 长方体如果是P型半导体，必有φ上<φ下
C. 长方体如果是P型半导体，必有φ上>φ下
D. 长方体如果是金属导体，必有φ上>φ下
两个等量正点电荷固定于光滑水平面上，其连线中垂线上有A、B、C三点，如图甲所示．一个电荷量为2 C、质量为1 kg的小物块从C点由静止释放，其运动的v－t图像如图乙所示，其中B点处为整条图线切线斜率最大的位置(图中标出了该切线)．则下列说法正确的是( )
A. 从C到A电势逐渐升高
B. 由C到A的过程中物块的电势能先减小后变大
C. B点为中垂线上电场强度最大的点，场强E＝6V/m
D. A、B两点电势差UBA＝5 V
带正电的微粒放在电场中，场强的大小和方向随时间变化的规律如图所示。带电微粒只在电场力的作用下由静止开始运动，则下列说法中 正确的是 ( )
A. 微粒做往复运动
B. 微粒将沿着一条直线做匀加速运动
C. 微粒在0～1 s内的加速度与1～2 s内的加速度相同
D. 微粒在第1 s内的位移与第3 s内的位移相同
在如图所示的电路中，电源内阻不计，在调节可变电阻R的阻值过程中，发现理想电压表的示数减小，则正确的是 （ ）
A. R的阻值变大
B. 路端电压不变
C. 干路电流减小
D. 路端电压和干路电流的比值不变
