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要测绘一个标有“3 V 0.6 W”小灯泡的伏安特性曲线,灯泡两端的电压需要由零...

要测绘一个标有“3 V 0.6 W”小灯泡的伏安特性曲线灯泡两端的电压需要由零逐渐增加到3 V并便于操作.已选用的器材有:

电池组(电动势为4.5 V内阻不计)

电流表(量程为0250 mA内阻约5 Ω)

电压表(量程为03 V内阻约3 kΩ)

开关一个、导线若干.

(1)实验中所用的滑动变阻器应选下列中的________(填选项字母)

A滑动变阻器 (最大阻值为5Ω,额定电流0.5A)

B滑动变阻器(最大阻值为20 Ω额定电流1 A)

(2)实验的电路图应选用下列的图________(填选项字母)

(3)用另一电源E0(电动势1.5V,内阻1.0 Ω)和另一滑动变阻器R(阻值0∼4.0Ω及题给器材连接成图(b)所示的电路,调节滑动变阻器R的阻值,可以改变小灯泡的实际功率。闭合开关S,在R的变化范围内,小灯泡的最小功率为____________W

 

B B 0.098-0.120 【解析】(1)测绘小灯泡的伏安特性曲线时,小灯泡两端的电压应从0开始,可以有更大的调节范围,故所需要的电路为滑动变阻器分压式,滑动变阻器应选用阻值小而电流大的,故选B; (2)描绘伏安特性曲线,滑动变阻器分压式接法,小灯泡正常发光的电阻 ,则有 ,根据大内偏大小外偏小,电流表选择外接法,故B正确; (3)设小灯泡的两端电压为U,通过小灯泡的电流为I,根据闭合电路欧姆定律有,作出I-U图像,与伏安特性曲线交点,这点的电压与电流的乘积即为小灯泡消耗的功率,如图, 当调节滑动变阻器R的阻值等于0欧时,小灯泡的功率最大,当调节滑动变阻器R的阻值等于4欧时,小灯泡的功率最小,小灯泡的最小功率为 P=IU=0.10×0.99 W=0.099 W。  
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设空间存在竖直向下的匀强电场和垂直纸面向里的匀强磁场,如图所示,已知一离子在电场力和洛伦兹力的作用下,从静止开始自A点沿曲线ACB运动,到达B点时速度为零,C点是运动的最低点,忽略重力,以下说法正确的是  (  )

A. 该离子带负电荷

B. 离子在C点时速度最大

C. A点和B点位于同一高度

D. 离子到达B点时,将沿原曲线返回A

 

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如图甲所示,不计电表对电路的影响改变滑动变阻器的滑片位置.测得电压表V1 V2随电流表A的示数变化规律如图乙中ab所示,下列判断正确的是(   )

A. 图线a的延长线与纵轴交点的坐标值等于电源电动势

B. 图线b斜率的绝对值等于电源的内阻

C. 图线ab交点的横、纵坐标之积等于此状态下电源的输出功率

D. 图线ab交点的横、纵坐标之积等于此状态下电阻Ro消耗的功率

 

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如图所示在半径为R的圆形区域内(圆心为O)有匀强磁场磁感应强度为B方向垂直于圆平面向里(未画出).一群具有相同比荷的负离子以相同的速率由P点在纸平面内向不同方向射入磁场中发生偏转后又飞出磁场若离子在磁场中运动的轨道半径大于R一无限大挡板MN在圆的正下方且与直径PQ平行,则下列说法中正确的是(不计离子的重力)(  )

A. 所有离子飞出磁场时的动能一定相等

B. 沿PQ方向射入的离子飞出时偏转角最大

C. Q点飞出的离子在磁场中运动的时间最长

D. 若离子入射速度满足,入射的离子出磁场后一定垂直打在挡板MN

 

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现代广泛应用的半导体材料分为两大类:一类是N型半导体其载流子是电子另一类是P型半导体其载流子称为空穴相当于带正电的粒子.如果把某种导电材料制成长方体放在匀强磁场中磁场方向如图所示且与长方体的前后侧面垂直当长方体中通有向右的电流I测得长方体的上下表面的电势分别为φφ(  )

A. 长方体如果是N型半导体必有φ

B. 长方体如果是P型半导体必有φ

C. 长方体如果是P型半导体必有φ

D. 长方体如果是金属导体必有φ

 

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两个等量正点电荷固定于光滑水平面上其连线中垂线上有ABC三点如图甲所示.一个电荷量为2 C、质量为1 kg的小物块从C点由静止释放其运动的vt图像如图乙所示其中B点处为整条图线切线斜率最大的位置(图中标出了该切线).则下列说法正确的是(  )

A. CA电势逐渐升高

B. CA的过程中物块的电势能先减小后变大

C. B点为中垂线上电场强度最大的点场强E6V/m

D. AB两点电势差UBA5 V

 

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