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图(a)为某同学组装完成的简易多用电表的电路图。图中E是电池;R1、R2、R3、...

图(a)为某同学组装完成的简易多用电表的电路图。图中E是电池;R1R2R3R4R5是固定电阻,R6是可变电阻;表头电流表G的量程为0∼5mA,内阻r=300Ω。虚线方框内为换挡开关,A端和B端分别与两表笔相连。该多用电表有5个挡位,5个挡位为:直流电压5V挡和10 V挡,直流电流10 mA挡和100 mA挡,欧姆×10Ω挡。

(1)图(a)中的B端与______(填)色表笔相连接。   

(2)开关S接位置___(“1”“2”)时是电流挡的小量程,根据题给条件可得R1=_____ΩR2=______ΩR4=_______Ω

(3)某次测量时该多用电表指针位置如图(b)所示。若此时B端是与“1”相连的,则多用电表读数为________;若此时B端是与“3”相连的,则读数为________

(4)已知图中的电源E的电动势为10V,当把开关S接到位置3,短接A. B进行欧姆调零后,此欧姆挡内阻为_______Ω

(5)当电池长期使用使得电动势变小,用该电池的多用电表测量电阻时,所测得的阻值将________(偏大”“偏小不变”)

 

红 2 30 270 350 58mA-60mA 110Ώ 10000 偏大 【解析】(1)与欧姆表内电源正极相连的是黑表笔,与欧姆表内电源负极相连的是红表笔;故图中的B端与红色表笔相连接。 (2)开关S接位置2时,是电流挡的小量程,根据题给条件可得;开关S接位置1时,是电流挡的大量程,根据题给条件可得,解得,开关S接位置4时,是电压挡的小量程,根据题给条件可得,解得 (3)B端是与“1”相连的,是电流挡的大量程,分度值是2mA,指针指在29.5格,则多用电表读数为2mA×29.5=59mA;此时B端是与“3”相连的,是欧姆挡,指针指在11的位置,则读数为11×10Ώ=110Ώ; (4)图中的电源E的电动势为10V,当把开关S接到位置3,短接A、B进行欧姆调零后,此欧姆挡内阻为 (5)当电池电动势变小、内阻变大时,欧姆得重新调零,由于满偏电流Ig不变,由公式,欧姆表内阻R内得调小,待测电阻的测量值是通过电流表的示数体现出来的,由,可知当R内变小时,I变小,指针跟原来的位置相比偏左,欧姆表的示数变大
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考点分析:
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要测绘一个标有“3 V 0.6 W”小灯泡的伏安特性曲线灯泡两端的电压需要由零逐渐增加到3 V并便于操作.已选用的器材有:

电池组(电动势为4.5 V内阻不计)

电流表(量程为0250 mA内阻约5 Ω)

电压表(量程为03 V内阻约3 kΩ)

开关一个、导线若干.

(1)实验中所用的滑动变阻器应选下列中的________(填选项字母)

A滑动变阻器 (最大阻值为5Ω,额定电流0.5A)

B滑动变阻器(最大阻值为20 Ω额定电流1 A)

(2)实验的电路图应选用下列的图________(填选项字母)

(3)用另一电源E0(电动势1.5V,内阻1.0 Ω)和另一滑动变阻器R(阻值0∼4.0Ω及题给器材连接成图(b)所示的电路,调节滑动变阻器R的阻值,可以改变小灯泡的实际功率。闭合开关S,在R的变化范围内,小灯泡的最小功率为____________W

 

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设空间存在竖直向下的匀强电场和垂直纸面向里的匀强磁场,如图所示,已知一离子在电场力和洛伦兹力的作用下,从静止开始自A点沿曲线ACB运动,到达B点时速度为零,C点是运动的最低点,忽略重力,以下说法正确的是  (  )

A. 该离子带负电荷

B. 离子在C点时速度最大

C. A点和B点位于同一高度

D. 离子到达B点时,将沿原曲线返回A

 

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如图甲所示,不计电表对电路的影响改变滑动变阻器的滑片位置.测得电压表V1 V2随电流表A的示数变化规律如图乙中ab所示,下列判断正确的是(   )

A. 图线a的延长线与纵轴交点的坐标值等于电源电动势

B. 图线b斜率的绝对值等于电源的内阻

C. 图线ab交点的横、纵坐标之积等于此状态下电源的输出功率

D. 图线ab交点的横、纵坐标之积等于此状态下电阻Ro消耗的功率

 

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如图所示在半径为R的圆形区域内(圆心为O)有匀强磁场磁感应强度为B方向垂直于圆平面向里(未画出).一群具有相同比荷的负离子以相同的速率由P点在纸平面内向不同方向射入磁场中发生偏转后又飞出磁场若离子在磁场中运动的轨道半径大于R一无限大挡板MN在圆的正下方且与直径PQ平行,则下列说法中正确的是(不计离子的重力)(  )

A. 所有离子飞出磁场时的动能一定相等

B. 沿PQ方向射入的离子飞出时偏转角最大

C. Q点飞出的离子在磁场中运动的时间最长

D. 若离子入射速度满足,入射的离子出磁场后一定垂直打在挡板MN

 

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现代广泛应用的半导体材料分为两大类:一类是N型半导体其载流子是电子另一类是P型半导体其载流子称为空穴相当于带正电的粒子.如果把某种导电材料制成长方体放在匀强磁场中磁场方向如图所示且与长方体的前后侧面垂直当长方体中通有向右的电流I测得长方体的上下表面的电势分别为φφ(  )

A. 长方体如果是N型半导体必有φ

B. 长方体如果是P型半导体必有φ

C. 长方体如果是P型半导体必有φ

D. 长方体如果是金属导体必有φ

 

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