在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（ ）
A. 在电场中的加速度之比为1：1
B. 在磁场中运动的半径之比为 3：1
C. 在磁场中转过的角度之比为1：2
D. 离开电场区域时的动能之比为1：3
图中A为理想电流表，V1和V2为理想电压表，R1为定值电阻，R2为可变电阻，电源E内阻不计，则（ ）
A. R2不变时，V2读数与A读数之比等于Rl
B. R2不变时，Vl表示数与A示数之比等于Rl
C. R2改变一定量时，V2读数的变化量与A读数的变化量之比的绝对值等于R1
D. R2改变一定量时，V1读数的变化量与A读数的变化量之比的绝对值等于R1
如图所示，在边长为a的正方形区域内，有以对角线为边界、垂直于纸面的两个匀强磁场，磁感应强度大小相同、方向相反，纸面内一边长为a的正方形导线框沿x轴匀速穿过磁场区域，t＝0时刻恰好开始进入磁场区域，以顺时针方向为导线框中电流的正方向，下列选项中能够正确表示电流与位移关系的是( )
A. 
B. 
C. 
D. 
在匀强磁场中有一不计电阻的矩形线圈，绕垂直磁场的轴匀速转动，产生如图甲所示的正弦交流电，把该交流电接在图乙中理想变压器的A、B两端，电压表和电流表均为理想电表，Rt为热敏电阻（温度升高时其电阻减小），R为定值电阻。下列说法正确的是
A. 在t=0.01s时，穿过该矩形线圈的磁通量的变化率为零
B. 变压器原线圈两端电压的瞬时值表达式为
C. Rt处温度升高时，由于变压器线圈匝数比不变，所以电压表V1、V2的比值不变
D. Rt处温度升高时，电流表的示数变小，变压器输入功率变大
2013年6月13日，“神舟十号”飞船与“天宫一号”目标飞行器在离地面343km的圆轨道上成功进行了我国第5次载人空间交会对接，在进行对接前，“神舟十号”飞船在比“天宫一号”目标飞行器较低的圆形轨道上飞行，这时“神舟十号”飞船的速度为v1，“天宫一号”目标飞行器的速度为v2，“天宫一号”目标飞行器运行的圆轨道和“神舟十号”飞船运行圆轨道最短距离为h，由此可求得地球的质量为（ ）
A. 
B. 
C. 
D. 
水平面上有两个物块A、B，A质量是B质量的两倍，与水平面的动摩擦因数都为µ，t=0时刻，B静止， A以初速度
向B运动，与B发生弹性正碰后分开，A与B都停止运动时的距离与t=0时刻AB距离相同，t=0时刻A与B间的距离为（ ）
A. 
B. 
C. 
D. 
